[发明专利]层叠型半导体装置的制作方法和制作装置

说明书

关联申请

本申请享受以日本申请专利2011-190810号(申请日：2011年9月1日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部的内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及层叠型半导体装置的制作方法和制作装置。

背景技术

近年来，为了实现半导体装置的小型化和/或高密度安装化，在1个封装内层叠并密封多个半导体芯片的堆栈型多芯片封装被实用化。堆栈型多芯片封装那样的层叠型半导体装置通过在布线基板和/或引线框等的电路基础材料上按顺序层叠多个半导体芯片构成。一般地，半导体芯片的层叠采用形成于半导体芯片的电路面(表面)和相反面的非电路面(里面)的粘接剂层进行。

这个情况下，需要形成于半导体芯片的电路面的表面保护膜和形成于非电路面的粘接剂层，所以无法避免在层叠多个半导体芯片时的层叠厚度变厚。对于这一点，提出：在半导体芯片的电路面形成兼作保护半导体芯片的电路面的表面保护膜和粘接剂的表面保护膜兼粘接剂层，使用这个表面保护膜兼粘接剂层来层叠半导体芯片。根据表面保护膜兼粘接剂层，将表面保护膜和粘接剂层由1层构成，其形成步骤也由1个步骤完成，所以能降低层叠型半导体装置的层叠厚度和/或制作成本。

在使用表面保护膜兼粘接剂层的情况下，例如在半导体晶片表面形成表面保护膜兼粘接剂层之后，通过按照芯片形状切断半导体晶片，来制作具有表面保护膜兼粘接剂层的半导体芯片。在层叠这样的半导体芯片时，为了适用于按顺序拾取半导体芯片进行层叠的通常的层叠步骤，要求保持半导体芯片间的粘接可靠性，并抑制拾取半导体芯片的吸附托架(collet)从半导体芯片的脱离不良等。

发明内容

本发明打算解决的课题在于提供一种层叠型半导体装置的制作方法和制作装置，在半导体芯片的层叠中适用表面保护膜兼粘接剂层时，能够保持半导体芯片间的粘接可靠性，并抑制吸附托架从半导体芯片的脱离不良等的不良发生。

实施方式的层叠型半导体装置的制作方法，包括以下步骤：在半导体晶片的电路面形成感光性表面保护膜兼粘接剂层，其中上述半导体晶片包括多个芯片区域、和划分上述多个芯片区域的切割区域，并在上述多个芯片区域的上述电路面分别形成电极焊盘；曝光及显影上述感光性表面保护膜兼粘接剂层，在上述感光性表面保护膜兼粘接剂层形成使上述电极焊盘及上述切割区域露出的开口部；在上述半导体晶片的非电路面粘贴支持片，并沿着上述切割区域切断上述半导体晶片，制作将上述多个芯片区域单片化并具有上述感光性表面保护膜兼粘接剂层的半导体芯片；将第1半导体芯片由吸附托架保持并从上述支持片拾取之后，在电路基础材料上粘接上述第1半导体芯片；将第2半导体芯片由上述吸附托架保持并从上述支持片拾取之后，经由在上述第1半导体芯片的电路面形成的第1感光性表面保护膜兼粘接剂层，在加热了的上述第1半导体芯片上配置上述第2半导体芯片，粘接上述第1半导体芯片和上述第2半导体芯片；和电连接上述电路基础材料的连接部和上述第1及第2半导体芯片的上述电极焊盘。那样的层叠型半导体装置的制作方法中，上述吸附托架具有对上述第2半导体芯片的紧贴力比上述第1半导体芯片和上述第2半导体芯片间的紧贴力更低的吸附面。

附图说明

图1是表示在第1实施方式的层叠型半导体装置的制作方法中从感光性表面保护膜兼粘接剂层的形成步骤到半导体晶片的切断步骤的断面图。

图2是表示在第1实施方式的层叠型半导体装置的制作方法中从第1半导体芯片的拾取步骤到第2半导体芯片的粘接步骤的断面图。

图3是放大表示如图1表示的层叠型半导体装置的制作方法中使用的半导体晶片的芯片区域及切割区域的断面图。

图4是表示适用第1实施方式的层叠型半导体装置的制作方法制作的半导体封装的断面图。

图5是表示表面保护膜兼粘接剂层的粘接时粘度和半导体芯片间的粘接成功率的关系的一例的图。

图6是表示吸附托架的橡胶制吸附面表面粗糙度Ra和吸附托架的脱离成功率及吸附成功率的关系的一例的图。

图7是表示吸附托架的橡胶制吸附面表面粗糙度Ra和吸附托架的脱离成功率的关系的其他例的图。

图8是表示在吸附托架的上升时的处理和吸附托架的脱离成功率的关系的图。

图9是适用第2实施方式的层叠型半导体装置的制作方法表示制作的半导体封装的断面图。

图10是表示第2实施方式的层叠型半导体装置的制作方法的半导体芯片的粘接步骤的断面图。

符号的说明