[发明专利]层叠型半导体装置的制作方法和制作装置

权利要求书

1.一种层叠型半导体装置的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在半导体晶片的电路面形成感光性表面保护膜兼粘接剂层，其中上述半导体晶片包括多个芯片区域、和划分上述多个芯片区域的切割区域，并在上述多个芯片区域的上述电路面分别形成电极焊盘；

将上述感光性表面保护膜兼粘接剂层曝光并显影，在上述感光性表面保护膜兼粘接剂层形成使上述电极焊盘及上述切割区域露出的开口部；

在上述半导体晶片的非电路面粘贴支持片，并沿着上述切割区域切断上述半导体晶片，制作将上述多个芯片区域单片化并具有上述感光性表面保护膜兼粘接剂层的半导体芯片；

将第1半导体芯片由吸附托架保持并从上述支持片拾取之后，将上述第1半导体芯片粘接在电路基础材料上；

将第2半导体芯片由上述吸附托架保持并从上述支持片拾取之后，经由在上述第1半导体芯片的电路面形成的第1感光性表面保护膜兼粘接剂层，在加热了的上述第1半导体芯片上配置上述第2半导体芯片，将上述第1半导体芯片和上述第2半导体芯片粘接；和

电连接上述电路基础材料的连接部和上述第1及第2半导体芯片的上述电极焊盘；

其中，上述吸附托架具有对上述第2半导体芯片的紧贴力比上述第1半导体芯片和上述第2半导体芯片间的紧贴力更低的吸附面。

2.如权利要求1所述的层叠型半导体装置的制作方法，其特征在于，

上述吸附托架的上述吸附面包括硅酮橡胶，并且上述吸附面的表面粗糙度按算术平均粗度Ra在0.1～100μm的范围。

3.如权利要求1或2所述的层叠型半导体装置的制作方法，其特征在于，

在将上述第1半导体芯片和上述第2半导体芯片粘接之后使上述吸附托架上升时，实施使上述吸附托架擦洗的处理、和对上述吸附托架喷吹冷却用气体并速冷的处理的至少一方。

4.如权利要求1或2所述的层叠型半导体装置的制作方法，其特征在于，

上述半导体晶片的切断步骤包括以下步骤：在上述切割区域形成沟；在上述半导体晶片的上述电路面粘贴保护带；研磨上述半导体晶片的上述非电路面；将上述多个芯片区域单片化；在上述半导体晶片的上述非电路面粘贴上述支持片；和剥离上述保护带。

5.一种层叠型半导体装置的制作装置，其特征在于，包括：

拾取部，从由支持带维持晶片形状的半导体晶片，由吸着吸附托架按顺序保持并拾取多个半导体芯片，其中上述半导体晶片具有包含在电路面形成第1感光性表面保护膜兼粘接剂层的第1半导体芯片、在电路面形成第2感光性表面保护膜兼粘接剂层的第2半导体芯片的上述多个半导体芯片；和

芯片粘接部，在上述电路基础材料上粘接由上述吸附托架拾取的上述第1半导体芯片，并在上述第1半导体芯片上配置由上述吸附托架拾取的上述第2半导体芯片，通过上述第1感光性表面保护膜兼粘接剂层将上述第1半导体芯片和上述第2半导体芯片粘接；

上述吸附托架具有对上述半导体芯片的紧贴力比上述半导体芯片间的紧贴力更低的吸附面。