[发明专利]一种金刚线切割硅片的清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及硅片清洗工艺技术领域，更具体地说，涉及一种金刚线切割硅片的清洗方法。

背景技术

在能源日益紧张的今天，研究、开发新能源是当今能源领域的一个主要课题。太阳能以其无污染、取之不竭、无地域性限制等优点成为当今能源领域研究、开发的一个主要方向。利用晶体硅太阳能电池进行光致发电是当今利用太阳能的一种主要方式。硅片是晶体硅太阳能电池载体，是由晶体硅棒经过切割制备而成，硅片清洗效果的好坏对硅片制绒乃至太阳能电池的转换效率有重要的影响。

为了得到高洁净度的硅片，人们已研制开发出很多硅晶片清洗工艺，如湿法化学清洗、RCA标准清洗、干法清洗、超声清洗、鼓泡清洗、擦拭法、高压喷射法、流体动力学法等。清洗硅片方法虽多，但均仅适合当前普通砂浆切割方式的硅片。然而，这种游离磨料切割方式耗时长、效率低，且通常使用的SiC和PEG混合砂浆切割后的废料处理困难，环保压力大。

为了解决这问题，人们开发出固结磨料批量切割硅片的新技术，即用金刚线切割硅晶片。其采用对环境危害极小的水基冷却液和高效的金刚线替代SiC、PEG的混合砂浆与普通钢线，切割速度是普通砂浆切割的2-3倍。众所周知，金刚线切割方式对硅片的表面形貌影响与砂浆切割方式不一样，如继续用传统清洗方法来清洗金刚线切割的硅片，并不能有效的去除硅片表面的杂质，清洗后硅片表面洁净度较低，硅片制绒后绒面均匀性差。因此，如何有效去除金刚线切割硅片的表面杂质，提高其表面洁净度是硅片清洗时一个亟待解决的问题。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供一种金刚线切割硅片的清洗方法，该方法能够有效提高硅片表面的洁净度，硅片制绒后绒面的均匀性较好。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种金刚线切割硅片的清洗方法，所述清洗方法包括：

对切割好的硅片进行预清洗；

采用活化清洗剂对预清洗后的硅片进行活化清洗；

其中，所述活化清洗剂为双氧水、氢氧化钠以及纯水构成的混合试剂。

优选的，上述清洗方法中，所述活化清洗剂中双氧水的浓度为2.5%Wt-9.5%Wt，氢氧化钠的浓度为0.025%Wt-0.1%Wt。

优选的，上述清洗方法中，所述活化清洗包括：

将预清洗后的硅片放入温度为35℃-55℃的所述活化清洗剂中进行超声清洗4min-5min；

对硅片进行纯水超声清洗。

优选的，上述清洗方法中，所述纯水清洗包括：

将经过所述活化清洗剂清洗后的硅片放入带二级溢流槽的纯水槽进行超声清洗，其中，水温为40℃-50℃，清洗时间为4min-5min，纯水槽的溢流流量为4L/min-12L/min。

优选的，上述清洗方法中，所述预清洗包括：

对切割后仍粘结在粘胶板上的硅片进行冲洗；

对所述硅片进行脱胶处理；

将脱胶后的硅片放入盛有水温为20℃-30℃的纯水插片槽中将硅片一张张分开，并将其一张张的插到片盒中，再将一盒盒的硅片放入篮筐中；

对放入篮筐中的硅片进行第一次药剂槽超声清洗，其中，所述第一次药剂槽超声清洗的清洗试剂是浓度为0.4%Wt-0.8%Wt的草酸溶液，清洗时间为4min-5min，清洗温度为40℃-50℃；

对经过第一次药剂槽超声清洗后的所述篮筐中的硅片进行第一次纯水超声清洗；

对经过第一次纯水超声清洗后的所述篮筐中的硅片进行第二次药剂槽超声清洗，其中，所述第二次药剂槽超声清洗的清洗试剂是浓度为2.0%Wt-4.0%Wt的硅片专用清洗剂溶液，清洗温度为50℃-60℃，清洗时间为4min-5min；

对经过第二次药剂槽超声清洗后的所述篮筐中的硅片进行第二次纯水超声清洗。

优选的，上述清洗方法中，所述冲洗为：将切割后仍粘结在粘胶板上的硅片放到有喷淋、漂洗、超声交替进行功能的自动预清洗机上清洗5min-10min；

其中，水压为0.2MPa-0.3MPa，水温为20℃-35℃，冲洗用水包括：冷却回流水、或自来水、或纯水。

优选的，上述清洗方法中，所述脱胶包括：

将粘结有硅片的粘胶板浸入温度为50℃-70℃的热水中浸泡4min-7min，使硅片与粘胶板的粘胶面软化；

分多次将硅片从所述粘胶板上取下；