[发明专利]光电装置无效
申请号: | 201210319964.3 | 申请日: | 2012-08-31 |
公开(公告)号: | CN103066133A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 李斗烈;金永镇;金东燮;牟灿滨;金英水;朴映相 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0352 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种光电装置。
背景技术
已经加快了对清洁能源的开发。示例性清洁能源包括利用太阳能电池产生的光伏能,在太阳能电池中,阳光被转变成能量。然而,与产生热能相比,用于产生目前在工业上通过利用太阳能电池产生的光伏能的成本较高。
发明内容
可通过提供一种光电装置来实现实施例,所述光电装置包括:第一半导体结构和第二半导体结构,位于基底上,第一半导体结构和第二半导体结构具有不同的导电类型;位于第一半导体结构上的第一电极和位于第二半导体结构上的第二电极;层间绝缘结构,与第二半导体结构相邻。层间绝缘结构将第一半导体结构与第二半导体结构分开并将第一半导体结构与第二电极分开。
第一半导体结构可具有第一面积的第一区域,第二半导体结构可具有第二面积的第二区域。第一区域的第一面积可基本上大于第二区域的第二面积。第二半导体结构可具有岛状,使得第二半导体结构被第一半导体结构围绕。
第一电极和第二电极可具有基本上相同的宽度。第二电极可与第一半导体结构和第二半导体结构叠置。层间绝缘结构可包括通孔,第二电极可通过通孔连接到第二半导体结构。
层间绝缘结构可包括第一部分。第一部分可位于基底上的第一半导体结构和第二半导体结构之间。层间绝缘结构的第一部分可围绕第二半导体结构。层间绝缘结构的第一部分可完全围绕第二半导体结构。
层间绝缘结构可包括第一半导体结构上的第二部分,使得第二部分位于第二电极和第一半导体结构之间。层间绝缘结构的第一部分和第二部分可一体地形成为一个部件。层间绝缘结构的第二部分的沿着第一方向的宽度可大于第二电极的沿着第一方向的宽度。第一方向可以是在第一电极和第二电极之间延伸的方向。
所述光电装置还可包括间隙绝缘层,间隙绝缘层可围绕第二半导体结构,并且层间绝缘结构位于间隙绝缘层上。第一电极的上表面可以在距基底达第一距离处,第二电极的上表面可以在距基底达第二距离处。第二距离可大于第一距离。
层间绝缘结构和第一电极可以沿着在层间绝缘结构和第一电极之间的方向上延伸的水平线布置。所述光电装置可包括基底上的钝化层。钝化层可位于基底的与第一半导体结构和第二半导体结构相反的侧部。光电装置可包括位于钝化层上的减反射层。
第一半导体结构可包括基底上的第一本征层、第一本征层上的第一导电半导体层以及第一本征层和第一导电半导体层上的第一透明导电层。第一透明导电层可覆盖第一本征层和第一导电半导体层的横向侧部并可覆盖第一导电半导体层的上表面。
第二半导体结构可包括基底上的第二本征层、第二本征层上的第二导电半导体层以及第二本征层和第二导电半导体层上的第二透明导电层。第一导电半导体层和第二导电半导体层可具有不同的导电类型。第二透明导电层可覆盖第二本征层和第二导电半导体层的横向侧部并可覆盖第二导电半导体层的上表面。
还可通过提供一种制造光电装置的方法来实现实施例,所述方法包括以下步骤:在基底上形成第一半导体结构;在除了第一半导体结构之外的区域中形成第二半导体结构,第一半导体结构和第二半导体结构具有不同的导电类型;在第二半导体结构上形成层间绝缘结构,使得层间绝缘结构将第一半导体结构与第二半导体结构分开;在第一半导体结构上形成第一电极并在第二半导体结构上形成第二电极,从而通过层间绝缘结构使第一半导体结构与第二电极分开。
附图说明
通过参照附图对示例性实施例进行的详细描述,对本领域普通技术人员来讲,特点将会变得显而易见,其中:
图1示出了根据示例性实施例的光电装置的示意性透视图;
图2示出了沿着图1的□-□线截取的光电装置的剖视图;
图3A示出了第一半导体结构和第二半导体结构之间的示例性布置关系的示意性平面图;
图3B示出了第一半导体结构和第二半导体结构与第一电极和第二电极之间的示例性布置关系的示意性平面图;
图3C示出了层间绝缘层的示例性布置的示意性平面图;
图4示出了根据示例性实施例的光电装置的示意性透视图;
图5示出了沿着图4的□-□线截取的光电装置的剖视图;
图6A至图6V示出了根据示例性实施例的绘示在制造光电装置的方法中的阶段的按顺序的剖视图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的