[发明专利]光电装置

权利要求书

1.一种光电装置，包括：

位于基底上的第一半导体结构和第二半导体结构，第一半导体结构和第二半导体结构具有不同的导电类型；

位于第一半导体结构上的第一电极和位于第二半导体结构上的第二电极；

与第二半导体结构相邻的层间绝缘结构，层间绝缘结构将第一半导体结构与第二半导体结构分开并将第一半导体结构与第二电极分开。

2.如权利要求1所述的光电装置，其中，第一半导体结构具有第一面积的第一区域，第二半导体结构具有第二面积的第二区域，第一区域的第一面积大于第二区域的第二面积。

3.如权利要求2所述的光电装置，其中，第二半导体结构具有岛状，使得第二半导体结构被第一半导体结构围绕。

4.如权利要求2所述的光电装置，其中，第一电极和第二电极具有相同的宽度。

5.如权利要求1所述的光电装置，其中，第二电极与第一半导体结构和第二半导体结构叠置。

6.如权利要求1所述的光电装置，其中，层间绝缘结构包括通孔，第二电极通过通孔连接到第二半导体结构。

7.如权利要求1所述的光电装置，其中，层间绝缘结构包括第一部分，第一部分位于基底上的第一半导体结构和第二半导体结构之间。

8.如权利要求7所述的光电装置，其中，层间绝缘结构的第一部分围绕第二半导体结构。

9.如权利要求7所述的光电装置，其中，层间绝缘结构的第一部分完全围绕第二半导体结构。

10.如权利要求7所述的光电装置，其中，层间绝缘结构包括位于第一半导体结构上的第二部分，使得第二部分位于第二电极和第一半导体结构之间。

11.如权利要求10所述的光电装置，其中，层间绝缘结构的第一部分和第二部分一体地形成为一个部件。

12.如权利要求10所述的光电装置，其中，层间绝缘结构的第二部分的沿着第一方向的宽度大于第二电极的沿着第一方向的宽度，第一方向是在第一电极和第二电极之间延伸的方向。

13.如权利要求1所述的光电装置，所述光电装置还包括间隙绝缘层，间隙绝缘层围绕第二半导体结构，并且层间绝缘结构位于间隙绝缘层上。

14.如权利要求1所述的光电装置，其中，第一电极的上表面在距基底达第一距离处，第二电极的上表面在距基底达第二距离处，第二距离大于第一距离。

15.如权利要求1所述的光电装置，其中，层间绝缘结构和第一电极沿着在层间绝缘结构和第一电极之间的方向上延伸的水平线布置。

16.如权利要求1所述的光电装置，所述光电装置还包括：

基底上的钝化层，钝化层位于基底的与第一半导体结构和第二半导体结构相反的侧部；

位于钝化层上的减反射层。

17.如权利要求1所述的光电装置，其中，第一半导体结构包括基底上的第一本征层、第一本征层上的第一导电半导体层以及第一本征层和第一导电半导体层上的第一透明导电层。

18.如权利要求17所述的光电装置，其中，第一透明导电层覆盖第一本征层和第一导电半导体层的横向侧部并覆盖第一导电半导体层的上表面。

19.如权利要求17所述的光电装置，其中，第二半导体结构包括基底上的第二本征层、第二本征层上的第二导电半导体层以及第二本征层和第二导电半导体层上的第二透明导电层；

第一导电半导体层和第二导电半导体层具有不同的导电类型。

20.如权利要求19所述的光电装置，其中，第二透明导电层覆盖第二本征层和第二导电半导体层的横向侧部并覆盖第二导电半导体层的上表面。