[发明专利]一种降冰片烯共聚物太阳电池基膜及其加工工艺

权利要求书

1.一种降冰片烯共聚物太阳电池基膜，其特征在于：所述基膜由降冰片烯共聚物、PC、EVA以及填料或降冰片烯共聚物、POE、EVA以及填料或降冰片烯共聚物、PP、EVA以及填料或降冰片烯共聚物和PET的共熔物以及填料所构成的单层结构，所述单层结构的基膜通过熔融挤出工艺加工而成。

2.根据权利要求1所述的降冰片烯共聚物太阳电池基膜，其特征在于：所述降冰片烯共聚物指的是降冰片烯和烯烃化合物、或降冰片烯和丙烯酸酯共聚合而形成的共聚物。

3.根据权利要求2所述的降冰片烯共聚物太阳电池基膜，其特征在于：所述烯烃化合物选自乙烯、丙烯、丁烯、丁二烯、异戊二烯或辛烯中的一种或几种。

4.根据权利要求2所述的降冰片烯共聚物太阳电池基膜，其特征在于：所述丙烯酸酯选自丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、2-甲基丙烯酸甲酯或2-甲基丙烯酸乙酯中的一种或几种。

5.根据权利要求1所述的降冰片烯共聚物太阳电池基膜，其特征在于：所述降冰片烯共聚物是经过有机硅偶联剂处理的。

6.根据权利要求5所述的降冰片烯共聚物太阳电池基膜，其特征在于：所述有机硅偶联剂选自Y(CH₂)_nSiX₃，n为0～3,Y为乙烯基、烯丙基、氨基、环氧基、甲基丙烯酰氧基、巯基或脲基有机官能团,X是氯基、甲氧基、乙氧基、甲氧基乙氧基或乙酰氧基。

7.根据权利要求1所述的降冰片烯共聚物太阳电池基膜，其特征在于：所述POE选自交联POE或非交联POE。

8.根据权利要求1所述的降冰片烯共聚物太阳电池基膜，其特征在于：所述单层结构的基膜的厚度为0.01mm-10mm。

9.根据权利要求1所述的降冰片烯共聚物太阳电池基膜，其特征在于：所述降冰片烯共聚物的重量比为5～40%、PC的重量比为50～80%、EVA重量比为5～20%、以及填料重量比为0～40%；

或所述降冰片烯共聚物的重量比为5～50%、POE的重量比为50～70%、EVA重量比为0～30%、以及填料的重量比0～50%；

或所述降冰片烯共聚物的重量比为5～40%、PP的重量比为50～80%、EVA的重量比为5～20%以及填料的重量比为0～40%；

或所述降冰片烯共聚物的重量比为5～50%、PET的重量比为10～50%以及填料的重量比为0～50%。

10.根据权利要求1-9中任一所述的降冰片烯共聚物太阳电池基膜的加工工艺，其特征在于：主要包括以下步骤：

在180℃-240℃条件下，将降冰片烯共聚物、PC、EVA以及填料或降冰片烯共聚物、POE、EVA以及填料或降冰片烯共聚物、PP、EVA以及填料或降冰片烯共聚物和PET的共熔物以及填料进行熔融共挤，形成所述基膜。