[发明专利]发光材料有效

专利信息
申请号: 201210319801.5 申请日: 2012-08-31
公开(公告)号: CN103113883A 公开(公告)日: 2013-05-22
发明(设计)人: 三石严;松田直寿;福田由美;K·阿尔贝萨;冈田葵;加藤雅礼;平松亮介;服部靖;布上真也 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: C09K11/64 分类号: C09K11/64;H01L33/50
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 苗征;于辉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光 材料
【权利要求书】:

1.发光材料,当用发射峰在250-520nm的波长范围内的光激发时,所述发光材料发出发光峰在550-590nm的波长范围内的光,所述发光材料的特征在于具有下式1表示的组成:

(Sr1-xEux)aSibAlOcNd    式1

其中x、a、b、c和d满足以下条件:

0<x≤0.16,0.50≤a≤0.70,2.0≤b≤2.5,

0.45≤c≤1.2,3.5≤d≤4.5且3.6≤d/c≤8.0。

2.根据权利要求1的发光材料,其特征在于,在通过使用Cu-Kα线的Bragg-Brendano法的X-射线衍射中,所述发光材料在衍射角(2θ)8.3-8.8°、11.0-11.4°、14.9-15.4°、18.1-18.6°、19.6-20.1°、22.8-23.3°、24.6-25.1°和31.5-32.0°具有发光峰。

3.根据权利要求2的发光材料,其特征在于所述发光材料具有斜方晶体结构。

4.根据权利要求1的发光材料,其特征在于x为0.01-0.10。

5.根据权利要求1的发光材料,其特征在于a为0.55-0.65。

6.根据权利要求1的发光材料,其特征在于b为2.1-2.3。

7.根据权利要求1的发光材料,其特征在于c为0.7-1.1。

8.根据权利要求1的发光材料,其特征在于d为3.9-4.2。

9.根据权利要求1的发光材料,其特征在于(d/c)为3.7-6.0。

10.根据权利要求1的发光材料,其特征在于15原子%或更少的Sr被另一元素替代。

11.发光装置,其特征在于所述发光装置包括:

发光元件,其发出发射峰在250-500nm的波长范围内的光;和

发光层,其包含接收来自所述发光元件的光并发出黄光的发光材料,所述发出黄光的发光材料包含权利要求1-10中任一项的发光材料。

12.根据权利要求11的发光装置,其特征在于所述发光装置还包括:

散热绝缘基底,所述发光元件设置在该散热绝缘基底上,

其中所述发光层是圆顶形的。

13.根据权利要求11的发光装置,其特征在于所述发光装置还包括:

内侧透明树脂层,其设置在所述发光层的内侧,和

外侧透明树脂层,其设置在所述发光层的外侧。

14.用于制备权利要求1-10任一项的发光材料的方法,其特征在于所述方法包括:

混合Sr原料、Eu原料和Si原料以得到混合物,所述Sr原料包括含Sr和氧的化合物,所述Eu原料包括Eu氧化物,并且所述Si原料选自硅和氮化硅,所述混合物满足以下关系:

0.01≤MEu/(MSr+MEu)≤0.16;其中MEu是Eu的摩尔数,并且MSr是Sr的摩尔数;

在含氢气和氮气的还原性气氛中合成所述混合物而得到中间产物,将所述混合物填充入由非氧化物材料形成的容器中,并

混合所述中间产物、所述Si原料和选自氧化铝和氮化铝的Al原料,并在含氢气和氮气的还原性气氛中合成所得混合物以得到前驱体;并

在压力下,在氮气气氛中合成所述前驱体。

15.根据权利要求14的方法,其特征在于所述Sr原料选自氧化锶和氢氧化锶。

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