[发明专利]以搅棒扰动载具边缘的湿制程蚀刻装置及方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种湿制程蚀刻方法及装置，尤其涉及一种以搅棒扰动载具边缘的湿制程蚀刻方法及装置。

背景技术

一般在进行湿式蚀刻时，首先反应物利用扩散效应，通过一层薄薄的扩散边界层，以到达被蚀刻薄膜表面。然后，这些反应物将与薄膜表面的分子产生化学反应，并生成各种反应生成物。这些位于薄膜表面的反应生成物，也将利用扩散效应，通过扩散边界层到达溶液里，而后随着溶液排出。为了增加扩散效应，有利用磁铁带动蚀刻槽底部的搅棒以搅拌蚀刻液，但此种方式仅能搅动下层的蚀刻液，对于大面积的玻璃或晶圆的蚀刻，亦不能到达载具的凹槽(Slot)处，会形成死角。授予Jellrey C.Calio等人的美国专利第6,054,162号教导一种搅拌蚀刻液的方法及装置，在蚀刻槽底部放出气泡，以搅拌蚀刻液，但仍不能搅动到载具的凹槽(Slot)处，亦会形成死角。

发明内容

本发明所要解决的技术问题就是提供一种以搅棒扰动载具边缘的湿制程蚀刻装置及方法，利用搅棒往复式搅拌产生微小振动，提高蚀刻均匀度，而提升良率。

本发明另提供一种以搅棒扰动载具边缘的湿制程蚀刻装置及方法，以排除载具凹槽处的流场死角，提高蚀刻均匀度，进而提升良率。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：一种以搅棒扰动载具边缘的湿制程蚀刻装置，包括湿制程蚀刻槽，所述湿制程蚀刻槽内设有蚀刻液及载具，所述载具设有多个凹槽，所述凹槽置放有工件，其特征在于，还包括两搅棒组，所述两搅棒组分别设置于所述载具的两侧，每一搅棒组各具有至少一搅棒，所述搅棒由驱动机构所带动，用于扰动所述蚀刻液。

作为优选，所述搅棒组的搅棒设置为一支或多支。

作为优选，所述搅棒组的搅棒形成有宽部及窄部。

作为优选，所述搅棒组的驱动机构由马达连接连杆组成。

作为优选，所述搅棒组的驱动机构由气压缸连接连杆组成。

作为另一种优选的方案：一种以搅棒扰动载具边缘的湿制程蚀刻方法，包括步骤如下：将工件置于载具的凹槽内；将置有所述工件的载具放置于内设有蚀刻液的湿制程蚀刻槽内；以及将设置于所述载具两侧的两搅棒组的搅棒以驱动机构带动，用于扰动所述蚀刻液。

作为优选，所述两搅棒组同向或反向的移动。

作为优选，所述搅棒组的搅棒的搅拌频率为每分钟5至20次。

作为优选，所述搅棒组的搅棒设置为一支或多支。

作为优选，所述搅棒组的搅棒形成有宽部及窄部。

本发明具有以下有益的效果：

本发明利用搅棒往复式搅拌，可以扰动蚀刻液产生不同方向的水波来推动工件的两边，使其一边向前，一边向后抵住凹槽，使工件产生微小振动(Micro-vibration)，可使得位于载具(Cassette)内各工件能够得到均匀的蚀刻液分布，尤其是在固定工件的凹槽处，为蚀刻液最不易扩散到达的死角，使用搅棒的往复式搅拌，可提高工件的蚀刻均匀度。

经由进一步地调整搅拌频率及搅棒的形状、数量及位置，更可排除载具凹槽处的流场死角，有效降低扩散边界层厚度，进而提高工件的蚀刻均匀度。

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

图1为本发明湿式蚀刻的扩散边界层理论的示意图。

图2为本发明实施例以搅棒扰动载具边缘的湿制程蚀刻装置的示意图。

图3为本发明另一实施例搅棒的示意图。

图4为本发明实施例以搅棒扰动载具边缘形成水波的示意图。

图5为本发明搅棒反向扰动的示意图。

其中，附图标记说明如下：

1  湿制程蚀刻槽

2  搅棒组

   21  搅棒

       211  窄部

       212  宽部

   22  驱动机构

       221  连杆

       222  气压缸

3  载具

   31  凹槽

4  工件

A  水波

B  水波

a  反应物

b  扩散边界层

c  薄膜

d  反应生成物

具体实施方式