[发明专利]阵列基板的图形修补装置及方法无效
| 申请号： | 201210319176.4 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102809839A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 林勇佑 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/13 | 分类号： | G02F1/13;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 欧阳启明 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 图形 修补 装置 方法 | ||
1.一种阵列基板的图形修补装置，其特征在于，所述装置包括：
光照单元，用于在将光罩置于基底上方后，对所述光罩实施光照，以在所述基底的待刻蚀层形成曝光后图形；
检测单元，用于对所述待刻蚀层上的曝光后图形进行检测，判断所述曝光后图形是否存在待涂布缺陷；以及
涂布单元，其用于在判定所述曝光后图形存在待涂布缺陷时，在待涂布缺陷处涂布形成一保护层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的图形修补装置，其特征在于，所述检测单元具体包括：
图像获取单元，用于获取所述曝光后图形的图像；以及
显示单元，用于将所述图像获取单元获取的图像显示给操作人员，由操作人员判断所述曝光后图形是否存在待涂布缺陷。
3.根据权利要求1所述的阵列基板的图形修补装置，其特征在于：所述阵列基板的图形修补装置还包括：
刻蚀单元，用于对形成有保护层的待刻蚀层进行刻蚀。
4.根据权利要求1所述的阵列基板的图形修补装置，其特征在于：所述涂布单元包含喷嘴。
5.根据权利要求1所述的阵列基板的图形修补装置，其特征在于：所述待涂布缺陷为断线缺陷。
6.一种阵列基板的图形修补方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：
在将光罩置于基底上方后，对所述光罩实施光照，以在所述基底的待刻蚀层形成曝光后图形；
对所述待刻蚀层上的曝光后图形进行检测，判断所述曝光后图形是否存在待涂布缺陷；
若所述曝光后图形存在待涂布缺陷，则在所述待涂布缺陷处涂布形成一保护层。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的图形修补方法，其特征在于：对所述刻蚀图案进行检测的步骤具体包括：
获取所述曝光后图形的图像；以及
将获取的图像显示，由操作人员判断所述曝光后图形是否存在待涂布缺陷。
8.根据权利要求6所述的阵列基板的图形修补方法，其特征在于：在待涂布缺陷处涂布形成一保护层的步骤之后，所述方法还包括以下步骤：
对形成有保护层的待刻蚀层进行刻蚀。
9.根据权利要求6所述的阵列基板的图形修补方法，其特征在于：在所述待涂布缺陷处涂布形成所述保护层的步骤具体包括：
通过喷嘴在所述待涂布缺陷处涂布形成所述保护层。
10.根据权利要求6所述的阵列基板的图形修补方法，其特征在于：所述待涂布缺陷为断线缺陷。
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