[发明专利]发光二极管

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管，尤其是一种具有串接结构的发光二极管。

背景技术

发光二极管(LED)技术的进步使LED具有体积小、重量轻、效能高及使用寿命长的特征。LED已在不同的单一色光输出，例如红色、蓝色及绿色，具有优秀的进步。单一颜色的LED可以用作特别的显示器中的背光，例如手机及液晶显示器(LCD)。散热为改善LED发光效率上的主要限制因素，且因此对于LED的设计者来说，热传处理是一件重要的事。

当用电流驱动LED时，由于半导体晶粒内部的漏电流以及从半导体晶粒的到周遭环境的热传不足，将会产生高元件温度。高温不只会导致元件损害及加速老化，且LED的光学特性也会随着温度而变。例如，LED的光输出一般会随着元件温度的增加而减少。再者，由于半导体能隙能量中的改变，发射波长会随着温度而改变。

鉴于传统发光二极管无法有效的解决散热的问题，因此，亟需提出一种新颖的发光二极管，以经济且有效的方式降低发光二极管的漏电流与高温。

又在现有技术中，驱动发光二极管所需的电压为3V，因此驱动发光二极管的驱动器需要具有将110V降压至3V的电压转换电路，不过该电压转换电路会增加驱动器的体积，而减少发光二极管应用的弹性。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的在于：提供一种发光二极管，解决传统发光二极管所无法有效解决的散热的问题。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种发光二极管，其特征在于，包括：

一第一发光二极管晶粒以及一第二发光二极管晶粒，其分别具有一第一半导体层、一第二半导体层以及设置于该第一半导体层以及该第二半导体之间的一多重量子井层；以及

其中，该第一发光二极管晶粒的第一半导体层与该第二发光二极管晶粒的第二半导体层相耦接。

该第一发光二极管晶粒与该第二发光二极管晶粒之间形成有一第一绝缘部，该第一绝缘部开设有一通孔。

还包括有一电极结构，该电极结构经由该通孔与该第一发光二极管晶粒的第一半导体层以及该第二发光二极管晶粒的第二半导体层连接。

该电极结构还包括有一第一电极部以及一第二电极部，该第一电极部形成于该第一发光二极管晶粒的第一半导体层上，该第二电极部连接该第二发光二极管晶粒的第二半导体层且经由该通孔与该第一电极部连接。

第一发光二极管晶粒的第二半导体层还连接有一第三电极部，该第三电极部凭借一第二绝缘部与该第二电极部相绝缘。

该第三电极部还连接有一金属合金部。

该通孔的宽度小于1000μm。

与现有技术相比较，本发明具有的有益效果是：

本发明提供的一种发光二极管，其在相邻两晶粒间的半导体层相耦接以形成串接的结构，因此发光二极管整体所需的电流减少，进而降低发光二极管的所产生的热度，并可进一步缩小散热片的尺寸，以提高发光二极管的发光亮度。

本发明提供的一种发光二极管，其中一发光二极管晶粒所具有的一p型半导体层与相邻的另一发光二极管晶粒所具有的一n型半导体层相耦接以形成串接的结构，使得该发光二极管整体所需的电流减少，而可以降低发光二极管的所产生的热度，并可进一步缩小散热片的尺寸，以提高发光二极管的发光亮度。

附图说明

图1是本发明发光二极管实施例示意图；

图2是本发明发光二极管另一实施例示意图。

附图标记说明：2、2a-发光二极管；20a-第一发光二极管晶粒；20b-第二发光二极管晶粒；20c-第三发光二极管晶粒；200-第一半导体层；201-多重量子井层；202-第二半导体层；21-电极结构；210-第一电极部；211-第二电极部；22-绝缘部；220-第一绝缘体；221-第二绝缘体；22a-第一绝缘部；23-通孔；24-第三电极部；25-第二绝缘部；26-金属合金部。

具体实施方式