[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

一第一发光二极管晶粒以及一第二发光二极管晶粒，其分别具有一第一半导体层、一第二半导体层以及设置于该第一半导体层以及该第二半导体之间的一多重量子井层；以及

其中，该第一发光二极管晶粒的第一半导体层与该第二发光二极管晶粒的第二半导体层相耦接。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该第一发光二极管晶粒与该第二发光二极管晶粒之间形成有一第一绝缘部，该第一绝缘部开设有一通孔。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：还包括有一电极结构，该电极结构经由该通孔与该第一发光二极管晶粒的第一半导体层以及该第二发光二极管晶粒的第二半导体层连接。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：该电极结构还包括有一第一电极部以及一第二电极部，该第一电极部形成于该第一发光二极管晶粒的第一半导体层上，该第二电极部连接该第二发光二极管晶粒的第二半导体层且经由该通孔与该第一电极部连接。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：第一发光二极管晶粒的第二半导体层还连接有一第三电极部，该第三电极部凭借一第二绝缘部与该第二电极部相绝缘。

6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于：该第三电极部还连接有一金属合金部。

7.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：该通孔的宽度小于1000μm。