[发明专利]一种FeSe超导薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种FeSe超导薄膜的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤一、将铁板材的表面加工平整，依次采用盐酸溶液、无水乙醇和丙酮清洗干净后，放置在高温管式炉的中部；

步骤二、将盛有硒粉的坩埚放置在高温管式炉中靠近进气口的一端，并距离铁板材5cm～30cm；

步骤三、向高温管式炉中通入氩气，先在氩气流量为1L/h～40L/h的条件下将炉内空气排除，然后在氩气流量为0.01L/h～1L/h的条件下将炉内温度升至400℃～800℃后保温10min～180min，使硒粉加热蒸发为气相Se，气相Se随氩气的流动进行定向输运并沉积于铁板材表面；

步骤四、将高温管式炉中盛有硒粉的坩埚取出，同时停止通入氩气，将步骤三中沉积有气相Se的铁板材在温度为600℃～1100℃的条件下进行退火处理0.5h～1.0h，自然冷却后在铁板材的表面得到FeSe超导薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种FeSe超导薄膜的制备方法，其特征在于，步骤一中所述铁板材的质量纯度≥99.5%。

3.根据权利要求1所述的一种FeSe超导薄膜的制备方法，其特征在于，步骤一中所述盐酸溶液的质量百分比浓度为8%～20%。

4.根据权利要求1所述的一种FeSe超导薄膜的制备方法，其特征在于，步骤二中所述坩埚为石英坩埚、刚玉坩埚或碳化硅坩埚。

5.根据权利要求1所述的一种FeSe超导薄膜的制备方法，其特征在于，步骤二中所述硒粉的纯度规格为分析纯。

6.根据权利要求1所述的一种FeSe超导薄膜的制备方法，其特征在于，步骤四中所述FeSe超导薄膜中四方相FeSe的质量百分含量≥90%。

7.根据权利要求1所述的一种FeSe超导薄膜的制备方法，其特征在于，步骤四中所述FeSe超导薄膜的厚度为50μm～200μm。