[发明专利]改善嵌入式非易失性存储器集成电路温度特性的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路设计方法，具体涉及电路温度特性的改善方法。

背景技术

目前，对于非易失性存储器集成电路，其中的晶体管在高温的情况下漏电流会变大，引起的芯片工作电流和待机电流变大，提高芯片功耗。如图1所示，N型MOS管，在相同的漏端电压Vd下，高温（85度）下的漏电流（Ioff）与常温（25度）下高了约2个数量级；图2是P型MOS管，在相同的漏端电压（Vd）下，高温（85度）下的漏电流（Ioff）比常温（25度）下高了约2个数量级。因此，需要设计一种方法保证芯片工作电流和待机电流基本不变的情况下加快芯片的运行速度。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种改善嵌入式非易失性存储器集成电路温度特性的方法，它可以保证芯片工作电流和待机电流基本不变的情况下加快芯片的运行速度。

为了解决以上技术问题，本发明提供了一种改善嵌入式非易失性存储器集成电路温度特性的方法；包括以下步骤：步骤一、在非易失性存储器电路内的特定地址中事先写入若干组代码，而每一组代码对应某个温度范围内的内部电路参数设置；步骤二、通过温度传感电路，在不同的温度范围内，分别调用各自的优化的内部电路参数设置。

本发明的有益效果在于：可以降低因高温晶体管的漏电流会变大引起的芯片工作电流和待机电流变大的问题。保证芯片工作电流和待机电流基本不变的情况下加快芯片的运行速度。

所述非易失性存储器电路内的专门用于存放内部电路设置参数。

所述事先写入的若干组代码，在芯片被正式使用前这些若干组代码前已经被写入。

所述事先写入的若干组代码，其每一组代码对应某个温度范围内的内部电路参数设置。

内部电路参数设置代码组所对应的内部电路参数设置，可以是高温下更低的芯片内部工作电压、更小的内部时钟电流，和/或低温下更高的芯片内部工作电压、更大的内部时钟电流。

所述温度传感电路输出的结果被用于调用相对应的内部电路参数设置代码组。

相对应的内部电路参数设置代码组被调用后，会改变相应的内部电路参数。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。

图1是N型MOS管，在相同的漏端电压Vd下，高温（85度）下的漏电流（Ioff）与常温（25度）下漏电流的比较图；

图2是P型MOS管，在相同的漏端电压（Vd）下，高温（85度）下的漏电流（Ioff）比常温（25度）下漏电流的比较图；

图3是本发明所述方法的示意图。

具体实施方式

对于嵌入式非易失性存储器集成电路，在其非易失性存储器电路内的某些特定地址中事先（例如：在芯片测试时）写入若干组代码，而每一组代码对应某个温度范围内的内部电路参数设置。然后通过温度传感电路，在不同的温度范围内，分别调用各自的优化的内部电路参数设置，这样就可以达到改善电路温度特性的效果。

如下表所示的例子，就是应用本发明所述的改善嵌入式非易失性存储器集成电路温度特性的方法，对温度与内部芯片参数设置建立关联。

原则上讲，高温设置下更低的芯片内部工作电压、更小的内部时钟电流，等等。低温下设置更高的芯片内部工作电压、更大的内部时钟电流。

本发明并不限于上文讨论的实施方式。以上对具体实施方式的描述旨在于为了描述和说明本发明涉及的技术方案。基于本发明启示的显而易见的变换或替代也应当被认为落入本发明的保护范围。以上的具体实施方式用来揭示本发明的最佳实施方法，以使得本领域的普通技术人员能够应用本发明的多种实施方式以及多种替代方式来达到本发明的目的。