[发明专利]改善嵌入式非易失性存储器集成电路温度特性的方法

权利要求书

1.一种改善嵌入式非易失性存储器集成电路温度特性的方法；其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、在非易失性存储器电路内的特定地址中事先写入若干组代码，而每一组代码对应某个温度范围内的内部电路参数设置；

步骤二、通过温度传感电路，在不同的温度范围内，分别调用各自的内部电路参数设置。

2.根据权利要求1所述的改善嵌入式非易失性存储器集成电路温度特性的方法，其特征是，所述非易失性存储器电路内有特定地址专门用于存放内部电路设置参数。

3.根据权利要求1所述的改善嵌入式非易失性存储器集成电路温度特性的方法，其特征是，所述事先写入的若干组代码，在芯片被正式使用前这些若干组代码已经被写入。

4.根据权利要求1所述的改善嵌入式非易失性存储器集成电路温度特性的方法，其特征是，所述事先写入的若干组代码，其每一组代码对应某个温度范围内的内部电路参数设置。

5.根据权利要求1所述的改善嵌入式非易失性存储器集成电路温度特性的方法，其特征是，内部电路参数设置代码组所对应的内部电路参数设置，可以是温度高时内部工作电压降低，时钟电流减小；和/或温度低时内部工作电压升高，时钟电流增大。

6.根据权利要求1所述的改善嵌入式非易失性存储器集成电路温度特性的方法，其特征是，所述温度传感电路输出的结果被用于调用相对应的内部电路参数设置代码组。

7.根据权利要求1所述的改善嵌入式非易失性存储器集成电路温度特性的方法，其特征是，相对应的内部电路参数设置代码组被调用后，会改变相应的内部电路参数。