[发明专利]低阻衬底上的多表面集成器件

权利要求书

1.一种器件，其至少一个部件位于多个衬底表面中的一个表面上，该器件包括：

第一衬底，其电阻值在大约0.1欧姆-厘米到10欧姆-厘米，其有至少第一和第二表面；

第一导电部件，其置于所述第一衬底的第一表面上，其与所述第一表面之间可以有中间隔电层，也可以没有；

第二导电部件，其置于所述第一衬底的第二表面上，；

一空腔，其形成在所述第一衬底上；

第二材料，其电阻值要高于所述第一衬底的电阻值，其被至少部分地填入所述第一衬底的空腔内；

一个或多个导电线路，其形成在所述第二材料内，其电连接所述第一导电部件和所述第二导电部件以形成一器件。

2.如权利要求1所述的器件，其中所述器件包括电感器。

3.如权利要求1所述的器件，其中所述器件包括电容器。

4.如权利要求1所述的器件，其中所述器件包括天线。

5.如权利要求1所述的器件，还包括集成在一起的第二器件。

6.如权利要求5所述的器件，其中所述器件和所述第二器件串联或并联。

7.如权利要求5所述的器件，其中所述器件和所述第二器件是分开单独使用的。

8.如权利要求1所述的器件，其中所述第二材料的电阻值等于或高于大约10的12次方欧姆-厘米，低于大约10的16次方欧姆-厘米。

9.一种垂直集成器件堆叠，包括权利要求1所述的器件。

10.如权利要求8所述的垂直集成器件堆叠，其中所述器件堆叠包括有源器件。

11.一种器件形成方法，其中至少一个部件位于多个衬底表面中的一个表面上，该方法包括：

提供第一衬底，其电阻值在大约0.1欧姆-厘米到10欧姆-厘米，其有至少第一和第二表面；

形成第一导电部件并将其置于所述第一衬底的第一表面上，其与所述第一表面之间可以有中间隔电层，也可以没有；

形成第二导电部件并其置于所述第一衬底的第二表面上，；

去除一部分所述第一衬底；

将第二材料填入所述第一衬底的所述去除部分，所述第二材料的电阻值要高于所述第一衬底的电阻值；

形成通孔穿过所述第二材料，在所述通孔内形成传导线路，连接到一个或多个第一和第二焊盘；

在所述第二材料内形成一个或多个导电线路，其电连接所述第一导电部件和所述第二导电部件以形成一器件。

12.如权利要求10所述的方法，其中所述器件是一个集成的无源器件。

13.如权利要求11所述的方法，其中所述集成无源器件选自一个或多个电感器、电容器、或天线。

14.如权利要求10所述的方法，还包括：在所述第一衬底的第一表面上或第二表面下垂直地集成另一个器件。

15.如权利要求13所述的方法，其中所述另一个器件选自有源或无源器件。

16.如权利要求10所述的方法，其中所述第一衬底是硅。

17.如权利要求10所述的方法，其中所述第二材料是高阻聚合物。

18.如权利要求10所述的方法，其中所述第二材料的电阻值等于或高于大约10的12次方欧姆-厘米，低于大约10的16次方欧姆-厘米。