[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201210313483.1 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103633017A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 陈枫;周梅生;何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
对所述半导体衬底进行离子注入，在半导体衬底内形成停止层；
形成停止层后，在所述半导体衬底的第一表面形成器件层；
形成贯穿所述器件层的导电插塞，所述导电插塞自半导体衬底的第一表面插入所述半导体衬底内，且所述导电插塞的底部与所述停止层接触；
形成导电插塞之后，化学机械抛光所述半导体衬底的第二表面，直至暴露出停止层为止，所述第二表面与所述第一表面相对；
去除所述停止层和部分半导体衬底，使所述导电插塞突出于半导体衬底的第二表面。
2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，离子注入的离子为氧离子、氮离子和碳离子中的一种或多种。
3.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述停止层到半导体衬底的第一表面的距离为10000埃-50000埃。
4.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述导电插塞的形成方法为：采用干法刻蚀工艺在所述器件层和半导体衬底内的形成通孔，
所述通孔暴露出停止层表面；在所述通孔内填充导电材料形成导电插塞。
5.如权利要求4所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述的导电材料为铜、钨或铝。
6.如权利要求4所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在填充导电材料之前，在所述通孔的侧壁和底部表面形成阻挡层。
7.如权利要求6所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为钛、钽、氮化钛、氮化钽、钛钨中的一种或多种。
8.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成导电插塞之后，在所述器件层和导电插塞表面形成金属互连层；在所述金属互连层表面形成绝缘层。
9.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：去除所述停止层和部分半导体衬底之后，在所述半导体衬底第二表面形成钝化层，所述钝化层表面与所述导电插塞顶部齐平。
10.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述化学机械抛光工艺的研磨液中，研磨颗粒为二氧化硅或二氧化铈。
11.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除所述停止层和部分半导体衬底的工艺为刻蚀工艺。
12.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述钝化层的材料为氮化硅或氧化硅。
13.如权利要求12所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述钝化层的形成方法为：在半导体衬底第二表面和导电插塞表面沉积氮化硅层或氧化硅层；采用化学机械抛光工艺平坦化所述氮化硅层或氧化硅层，直至暴露出导电插塞表面。
14.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底的材料为单晶硅或单晶锗。
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