[发明专利]电阻率梯度分布的外延片及其生产方法

权利要求书

1.电阻率梯度分布的外延片，包括外延层，其特征在于，所述外延层电阻率梯度分布。

2.根据权利要求1所述的电阻率梯度分布的外延片，其特征在于，所述外延层电阻率呈均匀变化。

3.根据权利要求1所述的电阻率梯度分布的外延片，其特征在于，还包括衬底，所述外延层底部与衬底接触；所述外延层电阻率自底部至上表面梯度分布。

4.根据权利要求3所述的电阻率梯度分布的外延片，其特征在于，所述外延层底部电阻率大于上表面电阻率，所述外延层电阻率自底部至上表面均匀变化。

5.根据权利要求3所述的电阻率梯度分布的外延片，其特征在于，所述外延层底部电阻率小于上表面电阻率，所述外延层电阻率自底部至上表面均匀变化。

6.根据权利要求1至5任一权利要求所述的电阻率梯度分布的外延片，其特征在于，所述衬底为P型，所述外延层为P型或N型。

7.根据权利要求6所述的电阻率梯度分布的外延片，其特征在于，所述P型衬底掺杂有硼；所述P型外延层掺杂有硼；所述N型外延层掺杂有砷、磷及锑中的至少一种。

8.根据权利要求1至5任一权利要求所述的电阻率梯度分布的外延片，其特征在于，所述衬底为N型，所述外延层为P型或N型。

9.根据权利要求6所述的电阻率梯度分布的外延片，其特征在于，所述N型衬底掺杂有砷、磷及锑中的至少一种；所述P型外延层掺杂有硼；所述N型外 延层掺杂有砷、磷及锑中的至少一种。

10.前述任一权利要求所述的电阻率梯度分布的外延片的生产方法，其特征在于，通过控制掺杂剂的掺杂量生产电阻率梯度分布的外延片。

11.根据权利要求10所述的电阻率梯度分布的外延片的生产方法，其特征在于，通过控制外延层沿厚度方向的掺杂剂的浓度梯度变化来生产电阻率梯度分布的外延片。

12.根据权利要求11所述的电阻率梯度分布的外延片的生产方法，其特征在于，利用质流控制器控制掺杂剂沿厚度方向的浓度梯度变化。

13.根据权利要求12所述的电阻率梯度分布的外延片的生产方法，其特征在于，所述掺杂剂通过质流控制器的开口喷向衬底，所述掺杂剂与外延层材料共同沉积在所述衬底上；所述质流控制器的开口面积可调；通过调整质流控制器的开口面积调整掺杂剂的掺杂量。

14.根据权利要求13所述的电阻率梯度分布的外延片的生产方法，其特征在于，所述的掺杂量根据公式MFR=r×V×A控制，r表示掺杂剂气体密度；V表示掺杂剂气体速率；A表示质流控制器开口面积。

15.根据权利要求10所述的电阻率梯度分布的外延片的生产方法，其特征在于，用Res₁表示外延层底部的电阻率，用Dop₁表示外延片底部的掺杂剂掺杂量；用Res₂表示外延层表面的电阻率，用Dop₂表示外延片表面的掺杂剂掺杂量；根据测试得出Res₁和Dop₁值，然后根据公式。