[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，包括：

a）在衬底上形成在一方向上延伸的栅极线；

b）形成覆盖半导体结构的光刻胶层，对该光刻胶层构图形成跨所述栅极线的开口；

c）通过所述开口将离子注入所述栅极线中，使所述栅极线在开口处绝缘。

2.根据权利要求1所述的方法，其中步骤a）还包括，在栅极线两侧形成侧墙。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在执行步骤c）之前通过在开口内形成自组装共聚物，将所述开口缩小。

4.根据权利要求1所述的方法，其中

所述离子注入是氧离子注入。

5.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述开口位于衬底中的浅沟槽隔离的上方。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤b）执行前该方法还包括：

d）在所述栅极线的两侧形成侧墙。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在步骤d）执行后，步骤b）执行前，该方法还包括：

e）形成至少一层覆盖所述栅极线和侧墙的应变层。

8.一种半导体结构，包括：

衬底；

在一方向上延伸的栅极线，形成在所述衬底之上，栅极线的两侧形成有侧墙；

绝缘区，在所述方向上将栅极线与相邻的栅极线隔离，其中所述绝缘区的材料不同于所述侧墙的材料。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中：

所述绝缘区的材料是氧化物。

10.根据权利要求8所述的半导体结构，其中：

所述绝缘区形成在浅沟槽隔离结构之上。

11.根据权利要求8所述的半导体结构，其中：

所述绝缘区在所述方向上的厚度小于20nm。