[发明专利]薄膜沉积系统

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜沉积系统，尤其涉及一种利用摩擦力带动承载器自转的薄膜沉积系统。

背景技术

薄膜沉积已被广泛应用于多种物体的表面处理，例如宝石、餐具、工具、模具、及/或半导体元件，同质或异质的薄膜形成于物体表面，用以提高耐磨、耐热及/或耐蚀等特性。薄膜沉积技术通常分为两大类，即物理气相沉积(PVD)与化学气相沉积(CVD)。

依沉积技术及工艺参数的不同，沉积的薄膜可具有单晶、多晶或非晶结构。单晶薄膜经常做为集成电路工艺中非常重要的磊晶层。例如，以半导体制作磊晶层，并于成形期间植入掺杂物，以产出具有精确掺杂物且不含氧及/或碳等杂质。

化学气相沉积技术中，包含有一种称为金属有机化学气相沉积(MOCVD)的技术。在MOCVD技术中，一种或多种反应气体用以携带一种或多种气相反应物及/或前驱物(precursor)进入包含有一种或多种基板(一个或多个晶圆)的反应室。基板的背面通常以射频感应或电阻的方式加热，用以提高基板及其周围的温度，一种或多种化学反应将会产生，将一种或多种气相的反应物及/或前驱物转换为固态生成物并沉积于基板的表面。

以MOCVD形成薄膜的工艺质量的优良与否，取决于反应器(reactor)内部气体流动的稳定性、温度的控制与导入反应气体的方式等因素，各参数对于沉积物的均匀性(uniformity)的影响重大。

一般来说，基板旋转装置可以带动晶圆旋转，借此提高晶圆上方气体浓度均匀性，得到一致的薄膜厚度。借由旋转晶圆也可以提高下方受热均匀性，得到较佳的薄膜质量。

发明内容

为实现上述目的，本发明提供一种薄膜沉积系统，包含：一载盘；一中心盘，设置于载盘的中心位置，中心盘的周缘具有一中心斜面；及至少一承载器，设置于该载盘上并位于中心盘外围，分别用以承载至少一基板，该至少一承载器的周缘具有一承载斜面与中心斜面接触。

其中，当载盘旋转带动至少一承载器对载盘的一载盘中心轴进行一公转以及当中心盘固定不旋转时，在承载斜面与中心斜面接触下，使得至少一承载器同时进行一自转。

其中，当该载盘带动该至少一承载器对该载盘的一载盘中心轴进行一公转时，可借由控制该中心盘一旋转方向与速度，在该承载斜面与该中心斜面接触下，调整该至少一承载器的一自转方向与速度。

其中，当该载盘固定不旋转与该中心盘旋转时，在该承载斜面与该中心斜面接触下，使得该至少一承载器进行一自转。

其中，至少一承载器中，只有一个承载器的承载斜面与中心斜面接触，且任两个承载器的该些承载斜面相互接触并以相反的方向旋转。

其中，至少一承载器中，任两个承载器的该些承载斜面相互接触并以相反方向旋转，其中一个承载斜面接触该中心斜面，另一承载斜面未接触该中心斜面。

其中，中心斜面或承载斜面为一粗糙表面。

其中，中心斜面为半径由上往下增加的态样，承载斜面为半径由上往下缩小的态样。

其中，中心斜面为半径由上往下缩小的态样，承载斜面为半径由上往下增加的态样。

其中，更包含一中心轴及至少一马达，其中中心轴包含有一内层轴及一外层轴，分别连接中心盘及载盘，至少一马达连接内层轴及一外层轴，可分别驱动中心盘及载盘旋转。

其中，更包含有：一旋转壳，连接载盘；一内齿轮，设于旋转壳的底部；一驱动齿轮，与内齿轮啮合；及一马达，连接并驱动外齿轮。

其中，更包含一腔壁及一盖体，其中盖体与该腔壁结合并设有一第一扣合件，中心盘设有一第二扣合件；第一扣合件与第二扣合件可结合而将中心盘固定于盖体下方。

其中，承载器以石墨制作。

本发明在于提供一种薄膜沉积系统，尤指一种利用摩擦力带动承载器自转的薄膜沉积系统，利用斜面构造相互带动，不但可以增加摩擦面积，而且有地心引力或重力所造成下压，运作后不会过度减少摩擦面积，此外此斜面摩擦后更增加硬度达到有效带动承载器自转效果，又简化系统元件的构造，增加承载器配置的致密度，提高单位时间的产能。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1为本发明旋转机构一实施例的示意图。

图2为如图1所示旋转机构一实施例的剖面图。

图3为本发明的旋转机构另一实施例的剖面图。

图4为本发明薄膜沉积系统一实施例的剖面图。

图5为本发明旋转机构另一实施例的示意图。

图6为本发明旋转机构又一实施例的示意图。