[发明专利]阵列基板行驱动电路、显示面板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201210309374.2 申请日: 2012-08-27
公开(公告)号: CN102820007A 公开(公告)日: 2012-12-12
发明(设计)人: 王颖;金泰逵;金馝奭 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王莹
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 基板行 驱动 电路 显示 面板 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种阵列基板行驱动电路、显示面板及显示装置。

背景技术

传统的无源矩阵有机发光二极管(Passive Matrix OLED,简称PMOLED)应用于显示器中时,随着显示器的显示尺寸的增大,需要更短的单个像素的驱动时间,因而需要增大瞬态电流,这样会增加功耗。同时,大电流的应用会造成ITO线上压降过大,并使OLED工作电压过高,进而降低其效率。而有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix OLED,简称AMOLED)通过开关管逐行扫描输入OLED电流,可以很好地解决这些问题。因此,AMOLED由于具有高亮度、宽视角和较快的响应速度等优点,已越来越多地被应用于高性能显示器中。

阵列基板行驱动电路(Gate on Array,简称GOA)是将栅极开关电路集成在阵列基板上,从而实现驱动电路的高度集成,从节省材料和减少工艺步骤两方面降低成本。

基于低温多晶硅技术的AMOLED技术,其驱动面板的薄膜晶体管具有较高的迁移率,所以更利于GOA电路的集成,然而作为一种还处于待完善阶段的技术,市场上应用于AMOLED的驱动电路还比较少。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是:如何设计一种能够稳定地产生精确控制OLED驱动电流的阵列基板行驱动电路。

(二)技术方案

为了解决上述技术问题,本发明提供了一种阵列基板行驱动电路,包括串联的多级电路单元,每级电路单元包括栅极驱动模块和发光控制模块,所述栅极驱动模块用于产生栅极驱动信号,所述发光控制模块与所述栅极驱动模块的栅极驱动信号输出端连接,用于在所述栅极驱动信号的控制下产生控制有机发光二极管开/关的发光控制信号,所述栅极驱动信号和所述发光控制信号反相。

优选地,所述栅极驱动模块包括第一薄膜晶体管~第五薄膜晶体管以及第一自举电容,其中,

第一薄膜晶体管的第一端分别与第五薄膜晶体管的第三端和第四薄膜晶体管的第二端连接,第二端连接外部电平信号,第三端分别与第一自举电容和第二薄膜晶体管的第二端连接,并作为所述栅极驱动信号的输出端;

第三薄膜晶体管的第一端连接时钟信号,第二端分别连接第五薄膜晶体管、第一自举电容以及第二薄膜晶体管的第一端,第三端连接上一级电路单元的栅极驱动信号输出端;

第四薄膜晶体管的第一端、第五薄膜晶体管的第二端连接时钟信号,第二薄膜晶体管的第三端连接时钟信号的反向信号,第四薄膜晶体管的第三端连接外部电平信号;

第一薄膜晶体管~第五薄膜晶体管的第一端为栅极。

优选地,所述栅极驱动模块还包括第六薄膜晶体管和第七薄膜晶体管,其中,第七薄膜晶体管的第一端连接时钟信号的反相信号,第二端与第五薄膜晶体管的第三端连接,第三端分别与第六薄膜晶体管的第二端以及第一薄膜晶体管的第一端连接;第六薄膜晶体管的第一端连接时钟信号,第六薄膜晶体管的第三端与第四薄膜晶体管的第二端连接。

优选地,所述栅极驱动模块还包括第二自举电容,所述第二自举电容的第一端与第一薄膜晶体管的第一端连接。

优选地,所述发光控制模块包括第八薄膜晶体管~第十一薄膜晶体管以及第三自举电容,其中,

第九薄膜晶体管、第十一薄膜晶体管的第一端与所述第一薄膜晶体管的第三端连接,第八薄膜晶体管的第二端分别与第九薄膜晶体管的第三端以及第十薄膜晶体管、第三自举电容的第一端连接;第十薄膜晶体管的第二端分别与第三自举电容的第二端以及第十一薄膜晶体管的第三端连接且作为所述发光控制信号的输出端,第十薄膜晶体管的第三端连接时钟信号;第八薄膜晶体管的第三端、第九薄膜晶体管和第十一薄膜晶体管的第二端接外部电平信号;所述第八薄膜晶体管~第十一薄膜晶体管的第一端为栅极。

优选地,对于第一级所述电路单元,第三薄膜晶体管的第三端连接外部输入信号;对于第n级电路单元,第三薄膜晶体管的第三端的输入信号由上一级电路单元中第一薄膜晶体管第三端输出的所述栅极驱动信号提供,本级电路单元中第八薄膜晶体管第一端所连接的输入信号为下一级电路单元中第一薄膜晶体管第三端输出的所述栅极驱动信号;对于最后一级电路单元,第八薄膜晶体管第一端连接另一外部输入信号;其中,n为大于或等于2的整数。

优选地,第一薄膜晶体管~第十一薄膜晶体管均为P型薄膜晶体管,且第四薄膜晶体管、第八薄膜晶体管的第三端连接低电平,第二自举电容、第一薄膜晶体管、第十一薄膜晶体管以及第九薄膜晶体管的第二端连接高电平。

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