[发明专利]存储单元和存储器

权利要求书

1.一种存储单元，包括：

静态随机存取存储单元，其包括基本RS触发器；以及

只读存储单元，其连接所述静态随机存取存储单元，以在所述只读存储单元的触发状态下设置所述基本RS触发器的内部锁存节点的逻辑状态。

2.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述只读存储单元包括一个晶体管，其连接在所述基本RS触发器的内部锁存节点之一和地之间且其栅极用于接收来自触发字线的触发信号。

3.根据权利要求2所述的存储单元，其特征在于，所述晶体管是NMOS晶体管。

4.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述只读存储单元包括：

第一晶体管，其连接在所述基本RS触发器的第一内部锁存节点和地之间且其栅极用于接收来自触发字线的触发信号；以及

第二晶体管，其源极连接到地，其漏极与所述基本RS触发器的第二内部锁存节点断开且其栅极用于接收所述来自触发字线的触发信号。

5.根据权利要求4所述的存储单元，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管为NMOS晶体管。

6.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述只读存储单元包括：

第一晶体管，其连接在所述基本RS触发器的第一内部锁存节点和地之间且其栅极用于接收来自触发字线的触发信号；以及

第二晶体管，其连接在所述基本RS触发器的第二内部锁存节点和地之间且其栅极连接到地。

7.根据权利要求6所述的存储单元，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管为NMOS晶体管。

8.根据权利要求6所述的存储单元，其特征在于，所述第一晶体管与所述基本RS触发器的第一内部锁存节点以及所述第二晶体管与所述基本RS触发器的第二内部锁存节点通过金属层连接。

9.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述只读存储单元与所述静态随机存取存储单元通过扩散区、通孔或金属层连接。

10.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述静态随机存取存储单元还包括传输晶体管，其用于连接在所述基本RS触发器的内部锁存节点和位线之间且其栅极用于连接到字线。

11.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述基本RS触发器包括两个反向连接的放大器。

12.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述静态随机存取存储单元为6管随机存取存储单元。

13.一种存储器，包括存储阵列，所述存储阵列包括：

多个存储单元，每个所述存储单元包括：

静态随机存取存储单元，其包括基本RS触发器；以及

只读存储单元，其连接所述静态随机存取存储单元，以在所述只读存储单元的触发状态下设置所述基本RS触发器的内部锁存节点的逻辑状态；

多个位线，每个所述位线连接相应列的所述存储单元；

多个字线，每个所述字线连接相应行的所述存储单元；以及

多个触发字线，每个所述触发字线连接相应行的所述存储单元，用于触发所述相应行的所述存储单元的所述只读存储单元。

14.根据权利要求13所述的存储器，其特征在于，每个所述只读存储单元包括：一个晶体管，其连接在所述基本RS触发器的内部锁存节点之一和地之间且其栅极用于接收来自所述触发字线的触发信号。

15.根据权利要求13所述的存储器，其特征在于，每个所述只读存储单元包括：

第一晶体管，其连接在所述基本RS触发器的第一内部锁存节点和地之间且其栅极用于接收来自所述触发字线的触发信号；以及

第二晶体管，其源极连接到地，其漏极与所述基本RS触发器的第二内部锁存节点断开且其栅极用于接收所述来自所述触发字线的触发信号。

16.根据权利要求13所述的存储器，其特征在于，每个所述只读存储单元包括：

第一晶体管，其连接在所述基本RS触发器的第一内部锁存节点和地之间且其栅极用于接收来自所述触发字线的触发信号；以及

第二晶体管，其连接在所述基本RS触发器的第二内部锁存节点和地之间且其栅极连接到地。