[发明专利]利用磁控溅射对原子力显微镜探针进行金膜修饰的方法有效

专利信息
申请号: 201210308708.4 申请日: 2012-08-28
公开(公告)号: CN102817006A 公开(公告)日: 2012-12-12
发明(设计)人: 李文英;钟建;张小秋;尹桂林;张柯;姜来新;余震;何丹农 申请(专利权)人: 上海交通大学;上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/14;G01Q60/38
代理公司: 广东世纪专利事务所 44216 代理人: 郭国中
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 利用 磁控溅射 原子 显微镜 探针 进行 修饰 方法
【权利要求书】:

1.一种利用磁控溅射对原子力显微镜探针进行金膜修饰的方法,其特征在于:将清洗干净的探针置于磁控溅射腔内,室温下利用磁控溅射镀膜技术在纯氩气气氛下依次溅射铬膜和金膜,得到表面覆有3~20nm铬膜和30~100nm金膜的原子力显微镜探针,所述原子力显微镜探针为硅探针或氮化硅探针。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,该方法按以下步骤进行:

(1)探针清洗:依次用氯仿、紫外线-臭氧、氯仿清洗;

(2)溅射铬膜:采用直流溅射铬靶,溅射气体为纯氩气;

(3)溅射金膜:采用直流溅射金靶,溅射气体为纯氩气。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述(1)中,氯仿清洗时间为10~20min,紫外线-臭氧清洗时间为10~30min。

4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述(2)中,本底真空度小于1.0×10-4Pa,调节基片与靶材的距离为10~20cm,选用99.99%的纯铬靶作为Cr薄膜沉积的溅射靶。

5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述(3)中,本底真空度小于1.0×10-4Pa,调节基片与靶材的距离为10~20cm,选用99.99%的纯金靶作为Au薄膜沉积的溅射靶。

6.根据权利要求2-5任一项所述的方法,其特征在于,所述(2)中,采用直流溅射铬靶,其中溅射功率为100W,溅射时间为10~70s。

7.根据权利要求2-5任一项所述的方法,其特征在于,所述(3)中,采用直流溅射金靶,溅射功率为70W,溅射时间为150~500s。

8.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述(2)和(3)中,纯氩气的纯度为99.99%以上,气体压强为0.8~1.6Pa。

9.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述(2)和(3)中,原子力显微镜探针不加热。

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