[发明专利]碟型集成式LED光源及制备方法

说明书

技术领域

本发明属于集成式LED光源领域，具体涉及一种碟型集成式LED光源及制备方法。 

 

背景技术

目前集成式LED光源多半以铝基板或金属基板做为基材,昂贵且不好控制精度,部分厂商以氮化铝或氧化铝等陶瓷质材料作为基板虽有高导热率但相对成本也极高。因此本发明将提供一种易于生产低价高效的LED光源的制备方法和低价高效的LED光源。

 

发明内容

本发明的技术目的是克服现有技术中的问题，提供一种采用光碟技术制备LED光源用的基材、同时采用半导体制程完成LED光源的制作的碟型集成式LED光源及其制备方法，成本低廉,导热率亦因加入氮化铝或氧化铝材料增加导热率使其不致过低。

为实现本发明的目的，本发明采用的技术方案为：碟型集成式LED光源，其特征在于：包括碟片形的基材、形成于基材的蚀刻线路、位于线路的镀铜层、附着于线路的用于固定LED芯片的银层、用于连接电极的金线和模压成型于LED光源的硅质一次透镜。

前述的碟型集成式LED光源，所述的LED芯片喷涂有荧光粉硅胶层。

前述的碟型集成式LED光源，所述的碟片形的基材为混合有氮化铝或氧化铝的聚碳酸酯。

碟型集成式LED光源的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1）制作出碟型基材；2）使碟型基材表面形成一层金属层；3）将步骤2）制成的基材经喷涂感光胶曝光线路制程后在需线路的隔离区形成保护膜,进行蚀刻留下线路；4）将3）中的线路以电镀法加厚铜,再以点镀法将银层附着于用于固定LED芯片的位置；5）将LED芯片固定于银层，以金线连接电极,在芯片上以喷涂法涂布荧光粉硅胶层，使LED光源呈现白光；6）以模压机加工将硅质一次透镜成形于LED光源上即完成光原板。

前述的碟型集成式LED光源的制备方法，其特征在于，步骤1）的具体过程为：将氮化铝或氧化铝的微米级粉末掺杂于聚碳酸酯原料均匀混合后射出碟型基材。

前述的碟型集成式LED光源的制备方法，其特征在于：步骤2）通过溅镀机完成。

前述的碟型集成式LED光源的制备方法，其特征在于：所述的光原板的背面涂上导热材料。

本发明使用微米级氮化铝或氧化铝掺杂于PC制成碟形基材，使用多个LED芯片固定于碟形基材上以导线（金线）相连形成回路，使用模压技术将硅质一次光学镜片成形于芯片上，低价易大量生产，导热佳易使用。

 

附图说明

图1为本发明的碟型集成式LED光源的结构图；

其中，1硅质一次透镜，2金线，3银层，4溅镀金属镀铜层，5基材，6 led芯片，7荧光粉硅胶层。

 

具体实施方式

为使本发明实现的技术方案、技术特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。

参见图1，碟型集成式LED光源，其特征在于：包括碟片形的基材5、溅镀于基材5的溅镀金属层、形成于基材5的蚀刻线路、位于线路的在溅镀金属层基础上加厚的镀铜层、附着于线路的用于固定LED芯片6的银层3(银层3位于溅镀金属镀铜层4上方，LED芯片6位于银层3上方)、用于连接芯片电极的金线2和模压成型于LED光源的硅质一次透镜1。溅镀金属层和镀铜层构成溅镀金属镀铜层4。LED芯片6喷涂有荧光粉硅胶层7。碟片形的基材5为混合有氮化铝或氧化铝的聚碳酸酯。

碟型集成式LED光源的制备方法，其特征在于，步骤如下：先将氮化铝或氧化铝的微米级粉末掺杂于聚碳酸酯（PC）原料均匀混合后射出光碟片,制作出高导热率的基材5；将碟片放入溅镀机使表面形成一层金属，将此基材经喷涂感光胶曝光线路制程后移除不需要线路的地方在需线路的隔离区形成保护膜,进行蚀刻留下线路；将线路以电镀法加厚铜,再以点镀法将银层附于需要的地方；将LED芯片固定于银层，以金线连接电极,在芯片上以喷涂法涂布荧光粉与硅胶使成白光,最后以模压机加工将硅质一次透镜成形于LED上即完成光原板,使用时只需将其背面涂上导热材料贴合于散热体上接上电源即可使用。

本发明使用微米级氮化铝或氧化铝掺杂于PC制成碟形基材，使用多个LED芯片固定于碟形基材上以导线（金线）相连形成回路，使用模压技术将硅质一次光学镜片成形于芯片上，低价易大量生产，导热佳易使用。

以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。