[发明专利]浮栅电可擦除型只读存储器及制造方法

权利要求书

1.一种浮栅电可擦除型只读存储器，其特征在于，形成于硅衬底上，有源区由场氧隔离，在所述有源区中形成有第一导电类型阱，浮栅电可擦除型只读存储器的单元结构包括：

源区，由形成于所述第一导电类型阱中的第二导电类型离子注入区组成；漏区，由形成于所述第一导电类型阱中的第二导电类型离子注入区组成；所述源区和所述漏区相隔一段距离且互相平行，所述源区和所述漏区之间的所述第一导电类型阱组成沟道区，所述源区和所述漏区的掺杂浓度大于所述沟道区的掺杂浓度；

热氧化层，通过热氧化工艺形成于所述有源区上方，由于所述源区和所述漏区的掺杂浓度大于所述沟道区的掺杂浓度，在所述源区和所述漏区上的所述热氧化层的厚度大于所述沟道区上的所述热氧化层的厚度；由所述沟道区上的所述热氧化层形成所述浮栅电可擦除型只读存储器的隧穿氧化层；

在所述热氧化层上形成有浮栅，所述浮栅覆盖所述沟道区、所述浮栅的两侧边界分别和所述源区和所述漏区对齐；

在所述浮栅的顶部和侧壁表面由下往上依次形成有第一氧化硅层、第二氮化硅层和第三氧化硅层，由所述第一氧化硅层、第二氮化硅层和第三氧化硅层组成ONO层；

控制栅，形成于所述浮栅上方并通过所述ONO层和所述浮栅相隔离，所述控制栅还延伸到所述浮栅外侧的有源区上方。

2.如权利要求1所述浮栅电可擦除型只读存储器，其特征在于：所述浮栅电可擦除型只读存储器由多个所述单元结构组成、且各所述单元结构组成阵列结构；

位于同一列上的各所述单元结构的所述源区的各所述第二导电类型离子注入区连接成一整体，并在连接在一起的所述源区的第二导电类型离子注入区的一侧端形成一个接触孔引出该列的源线端；

位于同一列上的各所述单元结构的所述漏区的各所述第二导电类型离子注入区连接成一整体，并在连接在一起的所述漏区的第二导电类型离子注入区的一侧端形成一个接触孔引出该列的位线端；

位于同一列上的各相邻的所述单元结构的所述控制栅相隔一段距离且互相平行、且各所述单元结构的所述控制栅的线条方向和所述源区的线条方向垂直；位于同一行上的各所述单元结构的所述控制栅都连接在一起，每一行的所述控制栅分别通过一个接触孔引出该行的字线端。

3.如权利要求1或2所述浮栅电可擦除型只读存储器，其特征在于：

当所述浮栅电可擦除型只读存储器为N型器件时，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型；

当所述浮栅电可擦除型只读存储器为P型器件时，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。

4.如权利要求1所述浮栅电可擦除型只读存储器，其特征在于：在所述源区和所述漏区上的所述热氧化层的厚度为150埃～200埃；所述沟道区上的所述热氧化层的厚度为70埃～90埃。

5.如权利要求1所述浮栅电可擦除型只读存储器，其特征在于：所述浮栅和所述控制栅的组成材料都为多晶硅。

6.一种浮栅电可擦除型只读存储器的制造方法，其特征在于，采用如下步骤来形成浮栅电可擦除型只读存储器的单元结构：

步骤一、在硅衬底上形成场氧并隔离出有源区；进行离子注入在所述有源区中形成第一导电类型阱；

步骤二、进行第二导电类型离子注入在所述第一导电类型阱中形成源区和漏区；所述源区和所述漏区相隔一段距离且互相平行，所述源区和所述漏区之间的所述第一导电类型阱组成沟道区，所述源区和所述漏区的掺杂浓度大于所述沟道区的掺杂浓度；

步骤三、通过热氧化工艺形成在所述有源区上方形成热氧化层；由于所述源区和所述漏区的掺杂浓度大于所述沟道区的掺杂浓度，在所述源区和所述漏区上的所述热氧化层的厚度大于所述沟道区上的所述热氧化层的厚度；由所述沟道区上的所述热氧化层形成所述浮栅电可擦除型只读存储器的隧穿氧化层；

步骤四、在所述硅衬底正面淀积多晶硅并对该多晶硅进行光刻刻蚀在所述热氧化层上形成浮栅，所述浮栅覆盖所述沟道区、所述浮栅的两侧边界分别和所述源区和所述漏区对齐；

步骤五、在所述硅衬底正面由下往上依次形成第一氧化硅层、第二氮化硅层和第三氧化硅层，由所述第一氧化硅层、第二氮化硅层和第三氧化硅层组成ONO层；对所述ONO层进行光刻刻蚀使所述ONO层仅覆盖在所述浮栅的顶部和侧壁表面；

步骤六、在所述硅衬底正面淀积多晶硅并对该多晶硅进行光刻刻蚀在所述浮栅上方形成控制栅，所述控制栅通过所述ONO层和所述浮栅相隔离，所述控制栅还延伸到所述浮栅外侧的有源区上方。