[发明专利]一种二硒化亚铁微米棒簇和微球的制备方法有效
申请号: | 201210303733.3 | 申请日: | 2012-08-24 |
公开(公告)号: | CN102826519A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 施伟东;张宪;范伟强;车广波 | 申请(专利权)人: | 江苏大学 |
主分类号: | C01B19/04 | 分类号: | C01B19/04 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 212013 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 二硒化 亚铁 微米 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于纳米合成材料与磁学技术领域,涉及利用水热合成制备出形貌均一的微米棒簇和微球的合成方法,特别涉及一种二硒化亚铁微米棒簇和微球的制备方法。
背景技术
纳米材料为器件的微型化、纳米化提供了材料基础,在光学、电子学、化工、环保、生物和医学等领域应用广泛,尤其是硒化物半导体材料的带隙一般在0.3到3.0电子伏特之间,是一种重要的直接带隙型半导体材料,具有优良的半导体性质,在半导体发光器件、光电器件、热电装置等方面都有着非常广泛的应用。对它们的制备方法以及光、电、磁等性质的研究,己成为目前人们关注的焦点。人们对硒化物半导体纳米材料的制备方法、性能以及应用进行了大量的研究,并取得了一定的成就。通过研究发现,无机纳米材料的形貌和尺寸可以改变它们的性质,不同形貌的无机纳米材料即使是同样的物质也常常会表现出不同的性质。在这些材料中,由于铁有储量丰富、价格便宜、对环境友好等诸多优点,铁的化合物相对于其它过渡金属化合物而言更具有优势,其本身又是一种磁性材料,是一种很有潜在应用价值的未来存储材料。所以,寻找工艺简单、成本低廉的多形态的二硒化亚铁纳米材料的制备方法是十分必要的,在此基础上研究二硒化亚铁材料的磁学性质,为其成为未来新颖的信息存储材料提供科学依据和技术支撑。
发明内容
本发明的目的在于提供一种工艺简单、合成温度较低的二硒化亚铁微米棒簇和微球的制备方法。
一种二硒化亚铁微米棒簇和微球的制备方法,是将硫酸亚铁铵和亚硒酸钠在水合肼的还原作用下,利用水热法制备出二硒化亚铁的微米棒簇和微球。
所述的二硒化亚铁的微米棒簇的制备包括如下步骤:
步骤A、将硫酸亚铁铵、亚硒酸钠和去离子水按照硫酸亚铁铵:亚硒酸钠:去离子水的比为1~2mmol:2~3mmol:10ml比例快速混合并搅拌,得到硒酸亚铁的浑浊液;
步骤B、再加入3~6ml水合肼(85wt%)分散均匀;
步骤C、将反应体系转移至聚四氟乙烯内衬的反应釜中,在140~180℃温度下恒温12h,自然冷却,得到水热产物;
步骤D、将上述水热产物离心分离,用无水乙醇和去离子水分别洗涤三次;
步骤E、将离心分离后的产物在60~80℃真空干燥6~12h,即可得到二硒化亚铁的微米棒簇。
所述的二硒化亚铁的微米微球的制备包括如下步骤:
步骤A、将硫酸亚铁铵、亚硒酸钠、柠檬酸和去离子水按照硫酸亚铁铵:亚硒酸钠:柠檬酸:去离子水的比为1~2mmol:2~3mmol:1g:10ml的比例混合搅拌使其溶解并分散均匀;
步骤B、再加入3~6ml的水合肼(85wt%)分散均匀;
步骤C、将反应体系转移至聚四氟乙烯内衬的反应釜中,在 140~180℃温度下恒温12h,自然冷却,得到水热产物;
步骤D、将上述水热产物离心分离,用无水乙醇和去离子水分别洗涤三次;
步骤E、将离心分离后的产物在60~80℃真空干燥6~12h,即可得到二硒化亚铁微球。
本发明采用水热合成方法制备出形貌上各向异性与各向同性的二硒化亚铁微米棒簇和微球,并且在此基础上对其进行了低温磁性的研究,低温磁性测量的方法与其它惯常普通磁性测量的方法相同。
本发明中二硒化亚铁(FeSe2)结构由X-射线衍射仪确定,X-射线衍射图谱表明,由液相反应与自组装技术相结合技术制备的硒化亚铁(FeSe2)为正交斜方结构,图谱中没有其它物质的峰存在,说明产物为纯相FeSe2。
场发射扫描电镜测试表明,液相反应与自组装技术相结合制备的二硒化亚铁(FeSe2)是由长度约为3~5微米,直径约200~400nm的亚微米棒自组装成的微米棒簇;二硒化亚铁微球的大小约为2~3微米,是由颗粒大小为100~200nm的纳米粒子自组装形成。
本发明制备的二硒化亚铁(FeSe2)微米棒簇和微球材料的磁学性能测试采用超导量子干涉仪(SQUID),在4k的低温下,场强从-60KOe 到60KOe。
木发明中由液相法与自组装技术相结合技术制备的不同形貌的二硒化亚铁(FeSe2)微米棒簇和微球,其形貌上具有明显的各向异性,进行才磁学性质的研究,发现微米棒簇的在4K的时候的矫顽力是18054Oe,饱和磁化强度是0.22emu/g;二硒化亚铁微球的矫顽力是10Oe,饱和磁化强度是0.24emu/g 。
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