[发明专利]用于AMOLED面板制造的分割掩模框架组件制造装置有效
申请号: | 201210299195.5 | 申请日: | 2012-08-21 |
公开(公告)号: | CN102881652B | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 邢南伸;崔英默;尹泳锡;吴世正;石铉浩 | 申请(专利权)人: | 株式会社汉松 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L21/677;H01L21/683 |
代理公司: | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人: | 郑青松;王俊 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 amoled 面板 制造 分割 框架 组件 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种分割掩模框架组件(Mask Frame Assembly)的制造 装置,该制造装置包括夹持器装置及背射照明装置,所述制造装置用于在 AMOLED面板制造工序中的蒸镀用掩模框架组件工序中,为制造大屏幕T V或移动用AMOLED面板而制造水平型掩模框架组件,更详细说是涉及 一种为了制造大屏幕的多面取掩模框架组件的高精细的掩模框架组件制 造装置,其特征在于,包括:水平移动型夹持器,依次把持并供给两侧面 仅有X裙摆或形成Y方向裙摆多数的分割掩模;Y方向夹持器,设置于 所述水平移动型夹持器上,为了防止宽度大的分割掩模沿宽方向生成褶 皱,将Y方向裙摆以上部方向把持后拉伸;背射照明装置,精密测量分割 掩模的格子中形成的带与基体玻璃格局间的定位程度来提高定位程度。
背景技术
OLED(有机发光二极管)的反应速度相比于薄膜晶体管液晶显示器 (TFT LCD)要快得多。此外,因为自身可以发光,无需背光灯,因此厚 度与重量可以减少三分之一,是具有宽视角与低电耗构造的次世代显示 器。
这样的OLED分为AM方式(自动)与PM方式(手动)。PMOLED 相比于AMOLED,生产成本低廉,但在耗电、寿命、分辨率上受到限制。 AMOLED在每个像素里都用TFT与电容,在耗电、寿命、分辨率侧面上 都很优秀,因此忽略了因为TFT制造而导致的生产成本高的缺点,现在在 各个领域中受到广泛的开发与接连不断地量产尝试。
AMOLED的最大优点在于其在画质上的竞争力。相比于最大竞争对 手的LCD,其对色的再现率高出了30%,对比度甚至优秀20倍之多。LC D最大缺点的影像残像现象在AMOLED中也无从找寻。这是因为,相反 于LCD,背光源是将间接光源通过液晶、彩色滤光器等,有点复杂的画面 显示,AMOLED是通过有机物质自身发光直接在线自然色的画面。
此外,OLED相比于LCD,其构造非常简单,因此在部件侧面也非常 有利。
但是,查看OLED材料原价、驱动电路、驱动IC价格时,OLED的 贬值比率居然大到,占了整体原价的一半。这是因为OLED尚未在消费者 之间大众化,导致很难起到通过大规模生产降低生产成本的效果。但是可 以期待随着时间的推移,其物量增加后,贬值比率得到下跌使其价格层面 上可以与LCD进行竞争。其理由是因为通过自身发光的方式,不需要BL U与彩色滤光片等,因此部件少且简单,所以可以充分降低成本。
因此,为了使其获得价格竞争力,在减少贬值比率方面需要各界的努 力。
但是为了实现大量生产,还有需要逾越的技术性问题。即,需要克服, 发光的有机物质的制造环境非常敏感,使制造品质高的良好的显示装置变 得困难,因此导致数率低下的问题;此后,越大型化越难以确保数率的系 统性问题。
以下,参照表示利用原状方式的掩模框架组件的有机物蒸镀机中制造 AMOLED的原理示意图的图11,来查看利用AMOLED(Active Matrix/ Organic Light Emitting Diode,主动矩阵有机发光二极管)的以往显示面 板的制造方法。
原状()方式AMOLED显示面板的基本构造是玻璃基板上形成 正电极的ITO(Indium-Tin-Oxide),在其上面蒸镀R、G、B有机物,之后 在其上面形成负电极,使正电极与负电极进行通电并发光的简单构造。
为了制造具有这样的基本构成的AMOLED显示器的以往的掩模拉伸 (Mask Stretching)方式是将掩模对照所定的目标(Target)位置的方式, 需要反复执行测量掩模框架组件的带(Stripe)位置并补偿的流程(Flow), 来进行对其配对(Matching)的方式。
因此,可以正确地诱导对其配对有机沉降器内玻璃基板元件的R、G、 B位置与Mask的Open部位,蒸镀源(Source)中进行蒸发(Evaporating) 并使有机物在玻璃基板元件内隔膜间进行沉降的掩模框架组件的精密度 非常重要。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造