[发明专利]一种极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件有效
| 申请号： | 201210298122.4 | 申请日： | 2012-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN102810553A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 胡盛东;张玲;甘平;周喜川;周建林;刘海涛 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 极低导 通电 槽型场氧 功率 mos 器件 | ||
1.一种极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件，包括衬底P型硅层、有源顶层硅和槽型场氧，其特征在于：所述有源顶层硅包括纵向沟道、N-漂移区、P型硅区，以及埋于整个衬底P型硅层表面的N+漏区，所述纵向沟道设置于N-漂移区上方，所述N-漂移区与P型硅区接触，所述P型硅区与槽型场氧接触，所述N-漂移区、P型硅区接触和槽型场氧分别与埋于整个衬底P型硅层表面的N+漏区接触。
2. 根据权利要求1所述的极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件 ，其特征在于：所述有源顶层硅还设置有N+源区、P+源区和P阱，所述P+源区和P阱直接接触于槽型场氧，所述N+源区与P+源区接触，所述N+源区和P+源区分别与P阱接触，所述P阱分别与N-漂移区、P型硅区接触，所述N+源区和P阱分别与纵向沟道接触，所述P型硅区介于N-漂移区和槽型场氧之间，所述N+漏区上方设置有漏电极，所述P阱设置有槽型栅氧化层和栅电极，槽型栅氧化层和栅电极垂直于P阱并与P阱接触，所述N+源区和P+源区设置于P阱区域内上方，所述N+源区和P+源区上方设置有源电极。
3. 根据权利要求2所述的极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件，其特征在于：所述有源顶层硅为Si、SiC、GaN半导体材料中的一种或多种。
4. 根据权利要求3所述的极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件，其特征在于：还包括SOI衬底埋氧层，所述SOI衬底埋氧层设置于埋于整个衬底P型硅层表面的N+漏区和衬底P型硅层之间。
5. 根据权利要求4所述的极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件，其特征在于：所述SOI衬底埋氧层还设置有半导体窗口。
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