[发明专利]一种电容倍增器无效
| 申请号： | 201210293128.2 | 申请日： | 2012-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102832903A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 吕志强;陈岚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03H11/00 | 分类号： | H03H11/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电容 倍增器 | ||
【权利要求书】：
1.一种电容倍增器，其特征在于，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第一电容；
所述第一晶体管的集电极连接第一节点，发射极接地，基极连接第一偏置电压；
所述第二晶体管的集电极连接第二节点，发射极接地，基极连接所述第一偏置电压；
所述第三晶体管的集电极连接电源，发射极连接所述第一节点，基极连接第二偏置电压；
所述第四晶体管的集电极连接电源，发射极连接所述第二节点，基极连接所述第二偏置电压；
所述第一电容的一端连接所述第一节点，所述第一电容的另一端连接所述第二节点；
所述第二节点作为该电容倍增器的输出端。
2.根据权利要求1所述的电容倍增器，其特征在于，所述第一晶体管和第二晶体管由所述第一偏置电压控制处于饱和工作区。
3.根据权利要求1所述的电容倍增器，其特征在于，所述第三晶体管和第四晶体管由所述第二偏置电压控制处于正向工作区。
4.根据权利要求1所述的电容倍增器，其特征在于，所述第二晶体管的发射区面积是第一晶体管的发射区面积的N倍；
所述第四晶体管的发射区面积是第三晶体管的发射区面积的N倍；所述N为整数。
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