[发明专利]功率半导体布置、具有多个该布置的功率半导体模块以及包含多个该模块的模块组装件

权利要求书

1. 功率半导体布置(1)，包括

包含钼层(4)的基板(2)，以及

功率半导体器件(3)，其安放到所述基板(2)的顶面并与之电耦合和热耦合，以及

母座，其在所述基板(2)的相对侧上设置到所述功率半导体器件旁边，

其特征在于

所述基板(2)包含金属安放基底(6)，所述金属安放基底(6)设置在所述半导体器件(3)与所述钼层(4)之间并且防止所述钼层(4)与所述半导体器件(3)形成高电阻金属间相。

2. 如以上权利要求1所述的半导体布置(1)，

其特征在于

所述安放基底(6)由铜制成。

3. 如以上权利要求1所述的半导体布置(1)，

其特征在于

所述安放基底(6)由基于铜的合金制成。

4. 如以上权利要求1到3中的任一项所述的半导体布置(1)，

其特征在于

所述安放基底(6)支持在所述功率半导体器件(3)出现故障的情况下形成短路故障模式。

5. 如以上权利要求1到4中的任一项所述的半导体布置(1)，

其特征在于

在所述功率半导体器件与所述母座之间设置薄片，所述薄片由铜、铝、银、金和/或镁或其合金制成。

6. 如以上权利要求1到5中的任一项所述的半导体布置(1)，

其特征在于

所述安放基底(6)作为安放板提供，其表面积大于所述半导体器件(3)的表面积。

7. 如以上权利要求1到6中的任一项所述的半导体布置(1)，

其特征在于

所述安放基底(6)作为延伸于所述钼层(4)的安放层提供。

8. 如以上权利要求7所述的半导体布置(1)，

其特征在于

所述安放层(6)层压到所述钼层(4)。

9. 如权利要求7或8所述的半导体布置(1)，

其特征在于

所述基板(2)包含基底层(5)，所述基底层(5)相对于所述安放层(6)在所述钼层(4)上提供，由此所述基底层(5)的热膨胀系数基本等于所述安放层(6)的热膨胀系数。

10. 如以上权利要求9所述的半导体布置(1)，

其特征在于

所述基底层(5)和所述安放层(6)作为相同层提供。

11. 如以上权利要求6到10中的任一项所述的半导体布置(1)，

其特征在于

所述钼层(4)的厚度至少是所述安放板或安放层(6)的厚度的3倍，所述钼层(4)的厚度优选是3到10倍，更优选是所述安放板或安放层(6)的厚度的5到6倍。

12. 如以上权利要求6到11中的任一项所述的半导体布置(1)，

其特征在于

所述钼层(4)的厚度介于1 mm与10 mm之间。

13. 带有多个如以上权利要求中的任一项所述的功率半导体布置(1)的功率半导体模块，

其特征在于

所述功率半导体布置(1)的所述基板(2)是公共基板(2)。

14. 如以上权利要求13所述的功率半导体模块， 

其特征在于

所述功率半导体模块包含壳体，由此

导电盖子形成所述壳体的顶面并提供所述功率半导体模块的第一触点，

所述公共基板(2)形成所述壳体的基底并提供所述功率半导体模块的第二触点，以及

每个功率半导体布置(1)的所述母座设置在所述功率半导体布置(1)的所述功率半导体器件(3)与所述盖子之间，

所述功率半导体器件(3)与所述盖子电接触。

15. 模块组装件，特别是功率半导体模块组装件，包含多个如以上权利要求13或14所述的功率半导体模块，

其特征在于

所述功率半导体模块互相并排设置，且相邻半导体模块之间电连接。

16. 如以上权利要求15所述的模块组装件，

其特征在于 

所述功率半导体模块的所述基板(2)互相电连接。

17. 如以上权利要求15或16所述的模块组装件，

其特征在于 

所述模块组装件包含壳体，由此

所述功率半导体模块的所述公共基板(2)贯穿所述壳体的基底，以及

导电盖子形成所述壳体的顶面并为所述功率半导体模块提供公共触点。