[发明专利]一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置及其制备方法无效
| 申请号： | 201210290641.6 | 申请日： | 2012-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN103594493A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽宁省抚顺市新*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 结构 电荷 补偿 肖特基 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
1.一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置，其特征在于：包括：
衬底层，为半导体材料构成；
漂移层，为第一导电类型半导体材料构成，位于衬底层之上；多个
沟槽，位于漂移层中，沟槽内设置有掺氧多晶硅材料；
肖特基势垒结，位于沟槽之间漂移层表面。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的衬底层为高浓度杂质掺杂的第一导电类型半导体材料。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽内掺氧多晶硅表面可以覆盖有绝缘材料。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：所述的绝缘材料在沟槽内上部形成沟槽结构，沟槽内填充电极金属或多晶半导体材料。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽内掺氧多晶硅可以位于沟槽侧壁，沟槽内填充绝缘材料。
6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：所述的绝缘材料在沟槽内上部形成沟槽结构，沟槽内填充电极金属或多晶半导体材料。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的掺氧多晶硅可以为具有第二导电杂质掺杂的掺氧多晶硅。
8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的掺氧多晶硅与漂移层第一导电半导体材料可以形成电荷补偿结构。
9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的肖特基势垒结为势垒金属与第一导电半导体材料形成的势垒结。
10.如权利要求1所述的一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
1）在衬底层表面形成第一导电半导体材料层，然后表面形成绝缘材料层；
2）进行光刻腐蚀工艺去除表面部分绝缘材料，然后刻蚀去除部分裸露半导体材料形成沟槽；
3）在沟槽内淀积掺氧多晶硅；
4）反刻蚀掺氧多晶硅，去除表面绝缘材料；
5）淀积势垒金属，进行烧结形成肖特基势垒结。
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