[发明专利]光源用芯片（晶片）散热双金属柱

说明书

技术领域

本发明涉及芯片（晶片）散热领域，特别是一种对于光源用的芯片（晶片）散热双金属柱材料。

背景技术

新近所发展的新型照明装置，如LED照明装置等，是一种电致发光组件，具备环保、能耗低与寿命长等优点，但依现有技术，LED所产生功率的75～85％将转换为热能，当热量无法获得有效的释放时，LED的发光效率与寿命便会大幅衰退，研究显示，LED每升高10℃，寿命便减少一半，可见散热的重要性。

依照现有LED照明装置散热技术而言，大多是将LED芯片（晶片）、导热胶与散热铜柱合并封装，芯片（晶片）所产生的热量通过散热铜柱对外界环境进行热交换，以释放多余的热。目前普遍采用的散热铜柱大多以纯铜制成，铜虽吸热快速，然而散热却相对缓慢，此特性造成芯片（晶片）内部的热能无法快速排除，导致发光效率衰退，甚至使得LED芯片（晶片）发生早期损坏，严重影响使用寿命。

发明内容

为了解决现有的技术问题，本发明采用各种金属复合技术，分别结合具吸收芯片（晶片）热量的吸热单元与快速排除热量的散热单元，提供一种光源用芯片（晶片）散热双金属柱，可适切地提升芯片（晶片）的散热效率，延长使用寿命。

所述吸热单元是由包括高热传导率的金属如铜、银及其合金的任一种以上所构成，所述散热单元是由铝、铜及其合金中任一种以上所构成。

所述光源用芯片（晶片）散热双金属柱的制造方法，可采用锻造、压接、轧延、焊接等工艺加以制作。

所述光源用芯片（晶片）散热双金属柱，可包括电镀处理，以提升其操作性能。

相较于现有技术，本发明的有益效果是：分别采用高吸热率的材料制成吸热单元，以及高散热率的材料制成散热单元，并利用复合技术予以结合，所制造的光源用芯片（晶片）散热双金属柱具有散热效率高，从而延长使用寿命的优点，与现有技术相较，散热效能可获得提升。

附图说明

图1为本发明的成品剖面示意图。

图2为本发明以锻造式加工完成的成品示意图。

图3为本发明以压接式成型加工的第1步骤示意图。

图4为本发明以压接式成型加工的第2步骤示意图。

图5为本发明以压接式成型加工的第3步骤示意图。

图6为本发明以压接式成型加工完成的成品示意图。

图7为本发明以轧延式的示意图。

图8为本发明以轧延方式加工完成的成品示意图。

图9为本发明以焊接加工的成品示意图。

图10为本发明的散热试验图。

图11为本发明铜/铝、银/铜、银/铝与纯铜的散热试验图。

具体实施方式

本发明为解决现有纯铜制散热铜柱散热效率不佳的缺点，特以各种金属复合技术结合吸收芯片（晶片）热量的吸热单元与快速排除热量的散热单元，提供一种光源用芯片（晶片）散热双金属柱，可适切地提升芯片（晶片）的散热效率，并延长使用寿命。

以下结合实施例对本发明作进一步详细描述。

如图1与图2所示，一种光源用芯片（晶片）散热双金属柱，包括吸热单元1与散热单元2，所述吸热单元1为铜、银及其合金，所述散热单元2为铝、铜及其合金所构成，本发明所述光源用芯片（晶片）散热双金属柱的制作工艺是利用各种金属复合技术，如鍛造法，将两种金属加以结合，接续成型至所需尺寸与形状。散热双金属柱成型完成后，利用热电偶量测温升过程，并将现有以纯铜制作的散热铜柱，以及本发明以吸热单元1、散热单元2结合制作的散热双金属柱所测得的数据进行比较。

除锻造方式制作散热双金属柱以外，亦有多种工艺可供制作，如压接法、轧延式、焊接法等，下列针对本发明作进一步叙述。

以压接法进行制备，其工艺包括先将如图3所示的吸热单元1与散热单元2分别以对应的模具压接成型，所述吸热单元1，用于吸收来自光源芯片（晶片）所发出的热量，所述散热单元2，用于快速排除储存在芯片（晶片）内的热；再如图4所示，将冲压成型完成后的两个单元组合，将两个单元组合完毕以后，如图5所示，置于压接模具3再压制成所需形状（如图6所示）。