[发明专利]光源用芯片(晶片)散热双金属柱无效

专利信息
申请号: 201210289524.8 申请日: 2012-08-15
公开(公告)号: CN103594614A 公开(公告)日: 2014-02-19
发明(设计)人: 林铭漳;蔡明振;韩大鹏 申请(专利权)人: 品元企业股份有限公司
主分类号: H01L33/64 分类号: H01L33/64
代理公司: 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 代理人: 张涛
地址: 中国台湾新北市新庄*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 光源 芯片 晶片 散热 双金属
【权利要求书】:

1.一种光源用芯片(晶片)散热双金属柱,其包括用于吸收芯片(晶片)模组热量的吸热单元,以及用于排除模组热量的散热单元。

2.根据权利要求1所述的光源用芯片(晶片)散热双金属柱,其特征在于:所述吸热单元包括高热传导率的金属如铜、银及其合金的任一种以上所构成,所述散热单元是由铝、铜及其合金中任一种以上所构成。

3.根据权利要求1与权利要求2所述的光源用芯片(晶片)散热双金属柱,其特征在于:所述吸热单元与散热单元是以锻造法制作。

4.根据权利要求1与权利要求2所述的光源用芯片(晶片)散热双金属柱,其特征在于:所述吸热单元与散热单元是以压接法制作。

5.根据权利要求1与权利要求2所述的光源用芯片(晶片)散热双金属柱,其特征在于:所述吸热单元与散热单元是以焊接法制作。

6.根据权利要求1与权利要求2所述的光源用芯片(晶片)散热双金属柱,其特征在于:所述吸热单元与散热单元是以轧延式制作。

7.根据权利要求1与权利要求2所述的光源用芯片(晶片)散热双金属柱,其特征在于:制成的散热双金属柱可在表面施加电镀处理。

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