[发明专利]一种阵列基板、显示装置及一种阵列基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及平板显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板、显示装置及一种阵列基板的制造方法。

背景技术

在平板显示装置中，薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD）具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。

目前，TFT-LCD的主要结构包括对盒在一起的阵列基板和彩膜基板。其中，彩膜基板主要包括：玻璃基板、黑色矩阵（Black Matrix，简称BM）、彩色光阻和保护膜。黑色矩阵的主要作用是遮挡杂散光，防止像素间漏光；彩色光阻的主要作用是利用滤光的方式产生红绿蓝三原色，再将红绿蓝三原色以不同的强弱比例混合，从而呈现出各种色彩，使TFT-LCD显示出全彩。

现有TFT-LCD的制造工艺，在将阵列基板和彩膜基板对盒时，由于对盒工艺存在误差，彩膜基板的黑色矩阵与阵列基板的像素之间存在一定的对位偏差，黑色矩阵无法完全覆盖需要遮挡的区域，因此极易造成像素间的漏光现象。

发明内容

本发明的目的是提供一种阵列基板、显示装置及一种阵列基板的制造方法，用以提高黑色矩阵与阵列基板的对位精度，避免像素间的漏光现象。

本发明阵列基板，包括：

衬底基板；

位于衬底基板之上的一组栅线；

在每一根栅线的周边，渗入衬底基板的黑色矩阵。

本发明显示装置，包括前述技术方案所述的阵列基板。

本发明阵列基板的制造方法，包括：

在衬底基板上依次形成栅线金属层和感光型树脂层；

对形成栅线金属层和感光型树脂层后的基板进行曝光、显影后形成与栅线图形对应的第一刻蚀保护掩模的图形；

对形成第一刻蚀保护掩模后的基板进行刻蚀，形成栅线的图形；

对形成栅线后的基板进行第一次烘烤至第一刻蚀保护掩模流动后覆盖栅线，然后进行第二次烘烤至第一刻蚀保护掩模位于每一根栅线周边的部分渗入衬底基板；

将经过第一次和第二次烘烤后的基板上的第一刻蚀保护掩模未渗入衬底基板的部分进行去除，形成黑色矩阵的图形。

本发明阵列基板的制造方法，包括：

在衬底基板上依次形成栅线金属层和感光型树脂层；

采用双色调掩模板对形成栅线金属层和感光型树脂层后的基板进行曝光，显影后形成与栅线图形对应的未曝光的第一刻蚀保护掩模的图形，以及与数据线图形对应的部分曝光的第二刻蚀保护掩模的图形；

对形成第一刻蚀保护掩模和第二刻蚀保护掩模后的基板进行刻蚀，形成栅线的图形和与数据线图形对应的栅线金属的图形；

对形成栅线和栅线金属后的基板进行第一次烘烤至第一刻蚀保护掩模流动后覆盖栅线，第二刻蚀保护掩模流动后覆盖栅线金属；

对进行第一次烘烤后的基板进行灰化，去除第二刻蚀保护掩模位于栅线金属上方的部分，暴露出栅线金属；

对暴露出栅线金属后的基板进行刻蚀，去除栅线金属；

对去除栅线金属后的基板进行第二次烘烤至第一刻蚀保护掩模位于每一根栅线周边的部分渗入衬底基板，第二刻蚀保护掩模的残留部分渗入衬底基板；

将经过第二次烘烤后的基板上的第一刻蚀保护掩模未渗入衬底基板的部分，以及第二刻蚀保护掩模的残留部分未渗入衬底基板的部分去除，形成黑色矩阵的图形。

在本发明技术方案中，黑色矩阵位于阵列基板而非彩膜基板上，在每一根栅线的周边渗入衬底基板，与阵列基板的对位精度较高，因此，可避免像素间的漏光现象，彩膜基板上也无需再设置黑色矩阵。

附图说明

图1为本发明阵列基板第一实施例结构示意图；

图2为本发明阵列基板第二实施例结构示意图；

图3a为本发明阵列基板的制造方法第一实施例流程示意图；

图3b为本发明阵列基板第一实施例的制造过程结构示意图；

图4a为本发明阵列基板的制造方法第二实施例流程示意图；

图4b为本发明阵列基板第二实施例的制造过程结构示意图；

图4c为本发明制造方法第二实施例在形成第一刻蚀保护掩模和第二刻蚀保护掩模后的俯视图。

附图标记：

10-衬底基板       11-栅线        12-黑色矩阵        13-数据线

110-栅线金属层    120-感光型树脂层  121-第一刻蚀保护掩模