[发明专利]一种阵列基板、显示装置及一种阵列基板的制造方法有效

专利信息
申请号: 201210287714.6 申请日: 2012-08-13
公开(公告)号: CN102809860A 公开(公告)日: 2012-12-05
发明(设计)人: 郭建 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1333;H01L21/77
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 显示装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:

衬底基板;

位于衬底基板之上的一组栅线;

在每一根栅线的周边,渗入衬底基板的黑色矩阵。

2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:位于衬底基板之上的一组数据线,与一组栅线交叉排列;

所述黑色矩阵在每一根数据线的周边渗入衬底基板。

3.如权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述黑色矩阵材质为感光型树脂,所述衬底基板材质为玻璃。

4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述感光型树脂包含炭黑材料。

5.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~4任一项所述的阵列基板。

6.如权利要求5所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置为一体化触控显示装置。

7.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:

在衬底基板上依次形成栅线金属层和感光型树脂层;

对形成栅线金属层和感光型树脂层后的基板进行曝光、显影后形成与栅线图形对应的第一刻蚀保护掩模的图形;

对形成第一刻蚀保护掩模后的基板进行刻蚀,形成栅线的图形;

对形成栅线后的基板进行第一次烘烤至第一刻蚀保护掩模流动后覆盖栅线,然后进行第二次烘烤至第一刻蚀保护掩模位于每一根栅线周边的部分渗入衬底基板;

将经过第一次和第二次烘烤后的基板上的第一刻蚀保护掩模未渗入衬底基板的部分进行去除,形成黑色矩阵的图形。

8.如权利要求7所述的制造方法,其特征在于,

所述对基板进行烘烤至第一刻蚀保护掩模流动后覆盖栅线,烘烤温度大于150摄氏度;

所述对基板进行烘烤至第一刻蚀保护掩模位于栅线周边的部分渗入衬底基板,烘烤温度大于500摄氏度。

9.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:

在衬底基板上依次形成栅线金属层和感光型树脂层;

采用双色调掩模板对形成栅线金属层和感光型树脂层后的基板进行曝光,显影后形成与栅线图形对应的未曝光的第一刻蚀保护掩模的图形,以及与数据线图形对应的部分曝光的第二刻蚀保护掩模的图形;

对形成第一刻蚀保护掩模和第二刻蚀保护掩模后的基板进行刻蚀,形成栅线的图形和与数据线图形对应的栅线金属的图形;

对形成栅线和栅线金属后的基板进行第一次烘烤至第一刻蚀保护掩模流动后覆盖栅线,第二刻蚀保护掩模流动后覆盖栅线金属;

对进行第一次烘烤后的基板进行灰化,去除第二刻蚀保护掩模位于栅线金属上方的部分,暴露出栅线金属;

对暴露出栅线金属后的基板进行刻蚀,去除栅线金属;

对去除栅线金属后的基板进行第二次烘烤至第一刻蚀保护掩模位于每一根栅线周边的部分渗入衬底基板,第二刻蚀保护掩模的残留部分渗入衬底基板;

将经过第二次烘烤后的基板上的第一刻蚀保护掩模未渗入衬底基板的部分,以及第二刻蚀保护掩模的残留部分未渗入衬底基板的部分去除,形成黑色矩阵的图形。

10.如权利要求9所述的制造方法,其特征在于,

对基板进行烘烤至第一刻蚀保护掩模流动后覆盖栅线,第二刻蚀保护掩模流动后覆盖栅线金属,烘烤温度大于150摄氏度;

所述对基板进行烘烤至第一刻蚀保护掩模位于栅线周边的部分渗入衬底基板,第二刻蚀保护掩模的残留部分渗入衬底基板,烘烤温度大于500摄氏度。

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