[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种电路基板，明确而言，有关于一种薄膜晶体管基板。

背景技术

近年来，由于以氧化金属半导体制成的晶体管具有较高的载子迁移率(Mobility)而拥有较佳的电性表现，又制造方法也较传统薄膜晶体管简单，所以具有较高效能的氧化金属半导体薄膜晶体管的应用发展迅速。

一般薄膜晶体管以氮化硅(SiN_x)作为栅绝缘层（Gate insulator）与护层（Passivasion）的材料。但在氧化金属半导体晶体管中因为考量元件漏电问题，在制程上限制必需选用高温成膜的氧化硅(SiO_x)作为栅极绝缘层的材料，以及使用低温成膜的氮氧化硅(SiO_xN_y)作为护层的材料。

但因以低温成膜的氮氧化硅(SiO_xN_y)作为的护层其结构较为松散，故具有潜在性膜破洞(Pinhole)的缺陷，使得水气可能经由膜破洞进入与信号线接触反应，导致线路腐蚀而造成断线。

有鉴于此，目前仍需要一种足以克服上述薄膜晶体管基板结构与制程上的问题的技术。

发明内容

本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管基板及其制备方法，以克服上述薄膜电晶体晶体管基板结构与制程上的问题。

因此，本发明的一方面是在提供一种薄膜晶体管基板，包含显示区域和非显示区域，并且显示区域包含薄膜晶体管、扫描线和信号线，非显示区域包含扫描线、信号线、连接线和接触金属。扫描线位于基板上的第一图案化金属层，与薄膜晶体管的栅极电性连接。信号线位于栅绝缘层上的第二图案化金属层，与薄膜晶体管的源极和漏极电性连接。连接线位于第一图案化金属层。栅绝缘层是至少覆盖部分位于第一图案化金属层的扫描线及连接线。非显示区域内的信号线与连接线以位于栅绝缘层的第一通孔电性连接，且连接线与接触金属以绝缘层中的第二通孔电性连接。

依据本发明一实施例，栅绝缘层为氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNy)，且栅绝缘层的成膜温度范围为约350℃至约400℃。

依据本发明另一实施例，薄膜晶体管至少包含氧化金属半导体，且此氧化金属半导体的材料为氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌(IZO)或氧化锌(ZnO)。

依据本发明另一实施例，护层为氧化硅(SiO_x)或氮氧化硅(SiO_xN_y)，且护层的成膜温度范围为约100℃至约200℃。

依据本发明又一实施例，还包含一护层覆盖于第二图案化金属层及栅绝缘层上。

本发明的又一方面是在提供一种薄膜晶体管基板的制备方法，包含：提供一基板，基板包含显示区域及非显示区域，且非显示区域位于显示区域的周围；形成一第一图案化金属层于基板上，其中第一图案化金属层包含至少一栅极、至少一扫描线及至少一连接线，其中栅极形成于显示区域，扫描线形成于显示区域及非显示区域，连接线形成于非显示区域；形成一栅绝缘层覆盖第一图案化金属层，其中非显示区域的栅绝缘层具有至少一第一通孔及至少一第二通孔，以分别露出一部分第一图案化金属层的连接线，第二通孔露出部分第一图案化金属层的连接线以作为接触垫；形成一图案化氧化金属半导体于栅绝缘层上，其中图案化氧化金属半导体相对于栅极；形成第二图案化金属层于图案化氧化金属半导体及栅绝缘层上，其中第二图案化金属层包含至少一源极、至少一漏极及至少一信号线，并且第二图案化金属层的信号线通过第一通孔与第一图案化金属层的连接线电性连接；形成护层至少覆盖显示区域的第二图案化金属层及栅绝缘层，其中护层具有至少一接触窗，以露出一部分漏极；以及形成像素电极于护层上，以通过接触窗与漏极电性连接。

依据本发明一实施例，其中护层还包含覆盖非显示区域的第二图案化金属层及栅绝缘层，且护层具有至少一开口，以露出一部分接触垫。