[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包含：

一基板，包含一显示区域及一非显示区域，其中该非显示区域位于该显示区域的周围；

至少一薄膜晶体管，是位于该基板上，且配置于该显示区域内；

至少一扫描线，是位于该基板上的一第一图案化金属层，与该至少一薄膜晶体管的至少一栅极电性连接，且配置于该显示区域及该非显示区域内；

至少一信号线，是位于一栅绝缘层上的一第二图案化金属层，与该至少一薄膜晶体管的至少一源极及至少一漏极电性连接，且配置于该显示区域及该非显示区域内；以及

至少一连接线，是位于该第一图案化金属层，且配置于该非显示区域内；

其中该栅绝缘层，是至少覆盖部分位于该第一图案化金属层的该至少一扫描线及该至少一连接线，且该至少一连接线与该至少一信号线于该非显示区域内，是以位于该栅绝缘层的至少一第一通孔电性连接，并且其中位于该非显示区域内具有至少一接触金属，该至少一接触金属与该至少一连接线是以位于该栅绝缘层中的至少一第二通孔电性连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该栅绝缘层为氧化硅或氮氧化硅。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该栅绝缘层的成膜温度范围为350℃至400℃。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该薄膜晶体管至少包含一氧化金属半导体。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该氧化金属半导体的材料为氧化铟镓锌、氧化铟镓、氧化铟锌或氧化锌。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，还包含一护层覆盖该第二图案化金属层及该栅绝缘层。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该护层为硅氧化物或硅氮氧化物。

8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该护层的成膜温度范围为100℃至200℃。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该接触金属的材料为该第二图案化金属层的金属。

10.一种薄膜晶体管基板的制备方法，其特征在于，包含：

提供一基板，该基板包含一显示区域及一非显示区域，且该非显示区域位于该显示区域的周围；

形成一第一图案化金属层于该基板上，其中该第一图案化金属层包含至少一栅极、至少一扫描线及至少一连接线，其中该栅极形成于该显示区域，该扫描线形成于该显示区域及该非显示区域，该连接线形成于该非显示区域；

形成一栅绝缘层覆盖该第一图案化金属层，其中该非显示区域的该栅绝缘层具有至少一第一通孔及至少一第二通孔，以分别露出一部分该第一图案化金属层的该连接线，该第二通孔露出该部分该第一图案化金属层的该连接线以作为一接触垫；

形成一图案化氧化金属半导体层于该栅绝缘层上，其中该图案化氧化金属半导体层相对于该栅极；

形成一第二图案化金属层于该图案化氧化金属半导体层及该栅绝缘层上，其中该第二图案化金属层包含至少一源极、至少一漏极及至少一信号线，并且该第二图案化金属层的该信号线通过该第一通孔与该第一图案化金属层的该连接线电性连接；

形成一护层于该显示区域的该第二图案化金属层及该栅绝缘层上，其中该护层具有至少一接触窗，以露出一部分该漏极；以及

形成一像素电极于该护层上，以通过该接触窗与该漏极电性连接。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管基板的制备方法，其特征在于，该护层还包含覆盖该非显示区域的该第二图案化金属层及该栅绝缘层，且该护层具有至少一开口，以露出一部分该接触垫。