[发明专利]镁镱铒三掺杂铌酸锂激光晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 201210283677.1 | 申请日： | 2012-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102797038A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 张沛雄;杭寅;张连翰;戴根发;何明珠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/20;H01S3/16 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 镁镱铒三 掺杂 铌酸锂 激光 晶体 及其 制备 方法 | ||
1. 一种镁镱铒三掺杂铌酸锂激光晶体，其特征在于该晶体的分子式为：EraYbbMgcLi6-2a-3b-3c-5dNbdO3,其中a为Er3+的掺杂浓度，其取值范围为0.1~1.5mol%；b为Yb3+的掺杂浓度，其取值范围为0.1~3mol%；c为Mg2+的掺杂浓度，其取值范围为0.1~5mol%；6-2a-3b-3c-5d和d为Li+和Nb5+的摩尔量百分比，满足(6-2a-3b-3c-5d)/d=0.942~0.960。
2. 权利要求书1所述的镁镱铒三掺杂铌酸锂激光晶体的制备方法，其特征在于该方法包括下列步骤：
①晶体生长的初始原料为MgO，Yb2O3，Er2O3，Li2CO3和Nb2O5粉末，选定a，b，c的取值，根据分子式EraYbbMgcLi6-2a-3b-3c-5dNbdO3称取原料；
②晶体生长：将所述的原料充分混合均匀，压制成块状，接着进行块料烧结，先升温到750度煅烧3~6小时，接着继续升温到1150度煅烧6~8小时自然降至室温，然后将烧结完成的多晶块料放入提拉炉中进行生长，生长气氛为空气，提拉速度的范围为0.3~0.8mm/h和转速为12~15r/min；
③晶体极化：在晶体两端加上电压，电流密度为5~7mA/cm2，同时对晶体进行加热，温度达到1195~1210度，持续极化时间为6~8小时。
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