[发明专利]半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201210283268.1 | 申请日： | 2012-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN103578920A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 秦长亮;殷华湘 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件制造方法，用于改善侧墙转移技术中的侧墙掩模，其特征在于，包括如下步骤：
提供半导体衬底，在该半导体衬底上依次形成阻挡层和牺牲层，并进行图案化；
全面性沉积侧墙材料层；
各向异性地回刻蚀所述侧墙材料层，仅保留位于所述阻挡层和所述牺牲层的侧面上的所述侧墙材料层，从而形成侧墙；
全面性沉积中间介质层，所述中间介质层完全覆盖所述阻挡层、所述牺牲层和所述侧墙；
进行CMP工艺，以所述阻挡层的上表面为CMP工艺的终止点，去除所述阻挡层的上表面之上的所述中间介质层、所述牺牲层和所述侧墙，剩余的所述侧墙形成侧墙掩模；
去除所述阻挡层和剩余的所述中间介质层，在所述半导体衬底上仅留存所述侧墙掩模。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为SiO2。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为多晶硅或非晶硅或光刻胶。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧墙的材料为Si3N4。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述CMP工艺包括两个阶段：第一阶段，对所述中间介质层进行CMP处理，至所述牺牲层的上表面为止；第二阶段，对所述牺牲层和所述侧墙的上部分进行CMP处理，至所述阻挡层的上表面为止。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所处侧墙掩模用于形成线条尺寸小于特征尺寸的图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
