[发明专利]电子装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种电子装置，特别涉及一种具有形状记忆合金元件的电子装置。

背景技术

散热问题长久以来一直是笔记型电脑、平板电脑等可携带式电子装置在机构设计上的一大难题，常见的电子装置通常利用风扇搭配散热孔的设计来进行散热，但由于目前电子装置的机体设计日趋轻薄，其内部可利用的散热空间相对减少，使整体的散热效率并不理想，无法满足目前高运算速度的电子装置的散热需求。有鉴于此，如何突破既有的散热限制，成为一重要的课题。

发明内容

本发明的一实施例提供一种电子装置，包括一本体以及一形状记忆合金元件，其中本体形成有一表面与一散热开口，其中散热开口设置于表面上，形状记忆合金元件设置于散热开口上，当形状记忆合金元件的温度低于一临界温度时，形状记忆合金元件呈现一第一形状，并遮蔽散热开口；当形状记忆合金元件受热使温度上升并超越临界温度时，形状记忆合金元件产生形变并凸出于表面，此时形状记忆合金元件呈现一第二形状，并与本体之间形成一通道。

于一实施例中，当前述形状记忆合金元件冷却并使温度降低至临界温度以下时，形状记忆合金元件由第二形状恢复至第一形状，并遮蔽散热开口。

于一实施例中，前述临界温度介于40℃至65℃之间。

于一实施例中，前述形状记忆合金元件具有双程记忆效应。

于一实施例中，前述形状记忆合金元件的材质包括铁基合金、镍-钛合金或铜基合金。

于一实施例中，当前述形状记忆合金元件受热使温度上升并超越临界温度时，至少一部分的形状记忆合金元件由麻田散体（马氏体）状态转换成沃斯田体（奥氏体）状态。

于一实施例中，前述形状记忆合金元件形成有多个狭缝，当形状记忆合金元件的温度低于临界温度时，狭缝呈现一闭合状态；当形状记忆合金元件受热使温度上升并超越临界温度时，形状记忆合金元件产生形变，并使狭缝扩张至一开启状态。

于一实施例中，前述狭缝为间隔排列。

于一实施例中，前述本体包括一滑槽，形状记忆合金元件容置于滑槽内。

于一实施例中，当前述形状记忆合金元件产生形变时，形状记忆合金元件于滑槽内移动。

附图说明

图1表示本发明的一实施例的形状记忆合金元件呈现第一形状时的示意图；

图2表示本发明的一实施例的形状记忆合金元件呈现第二形状时的示意图；

图3表示本发明的另一实施例的形状记忆合金元件呈现第一形状时的示意图；

图4表示沿图3中A-A’方向的剖视图；

图5表示本发明的另一实施例的形状记忆合金元件呈现第二形状时的示意图；以及

图6表示沿图5中B-B’方向的剖视图。

其中，附图标记说明如下：

本体 1；                    形状记忆合金元件 2；

散热开口 11；               散热孔 12；

滑槽 13；                   狭缝 21；

电子装置 E；                通道 P；

表面    S1。

具体实施方式

首先请一并参阅图1、图2，其示出本发明的一实施例的电子装置E，例如为笔记型电脑或平板电脑，主要包括一本体1以及一形状记忆合金元件2，其中本体1形成有一表面S1以及设置于表面S1上的一散热开口11，在本实施例中，散热开口11例如为一矩形开口。前述形状记忆合金元件2大致为一矩形结构并设置于散热开口11上，其中形状记忆合金元件2形成有多个狭缝21，且狭缝21均朝同一方向延伸并间隔排列。如图2所示，形状记忆合金元件2可在其温度高于一临界温度时产生形变，并与本体1之间形成一通道P，以提高电子装置E的散热效率。

需特别说明的是，前述形状记忆合金元件2的材质为具有双程记忆效应（two-way shape memory effect）的合金，例如可为铁基合金、镍-钛合金或铜基合金。

在图1中，当电子装置E尚未开始运作或温度较低时，由于形状记忆合金元件2的温度低于一临界温度，因此呈现大致为平坦的板状（第一形状），其中临界温度可介于40℃至65℃之间，且此时形状记忆合金元件2完全遮蔽散热开口11。由于狭缝21在此时为闭合状态，故可防止灰尘等异物经由狭缝21或散热开口11进入电子装置E而造成损坏。