[发明专利]电子装置有效
申请号: | 201210282375.2 | 申请日: | 2012-08-09 |
公开(公告)号: | CN103576810A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 吴宗勋 | 申请(专利权)人: | 宏碁股份有限公司 |
主分类号: | G06F1/20 | 分类号: | G06F1/20;H05K7/20 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳;潘培坤 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 | ||
1.一种电子装置,包括:
一本体,形成有一表面与一散热开口,其中该散热开口设置于该表面上;以及
一形状记忆合金元件,设置于该散热开口上;
其中,当该形状记忆合金元件的温度低于一临界温度时,该形状记忆合金元件呈现一第一形状,并遮蔽该散热开口;当该形状记忆合金元件受热使温度上升并超越该临界温度时,该形状记忆合金元件产生形变,此时该形状记忆合金元件呈现一第二形状,并与该本体之间形成一通道。
2.如权利要求1所述的电子装置,其中当该形状记忆合金元件冷却并使温度降低至该临界温度以下时,该形状记忆合金元件由该第二形状恢复至该第一形状,并遮蔽该散热开口。
3.如权利要求1所述的电子装置,其中该临界温度介于40℃至65℃之间。
4.如权利要求1所述的电子装置,其中该形状记忆合金元件具有双程记忆效应。
5.如权利要求1所述的电子装置,其中该形状记忆合金元件的材质包括铁基合金、镍-钛合金或铜基合金。
6.如权利要求1所述的电子装置,其中当该形状记忆合金元件受热使温度上升并超越该临界温度时,至少一部分的该形状记忆合金元件由麻田散体状态转换成沃斯田体状态。
7.如权利要求1所述的电子装置,其中该形状记忆合金元件形成有多个狭缝,当该形状记忆合金元件的温度低于该临界温度时,所述多个狭缝呈现一闭合状态;当该形状记忆合金元件受热使温度上升并超越该临界温度时,该形状记忆合金元件产生形变,并使所述多个狭缝扩张至一开启状态。
8.如权利要求7所述的电子装置,其中所述多个狭缝为间隔排列。
9.如权利要求1所述的电子装置,其中该本体包括一滑槽,该形状记忆合金元件容置于该滑槽内。
10.如权利要求9所述的电子装置,其中当该形状记忆合金元件产生形变时,该形状记忆合金元件于该滑槽内移动。
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