[发明专利]半导体电路有效
申请号: | 201210276340.8 | 申请日: | 2012-08-03 |
公开(公告)号: | CN102916688A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 许畅宰 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H03K19/094 | 分类号: | H03K19/094;H03K19/003 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 电路 | ||
1.一种半导体电路,包括:
延迟单元,用于将输入信号延迟预定时间,以输出延迟信号;
电压调节单元,用于根据所述输入信号的电平对电压进行充电和放电;以及
组合单元,用于根据使用所述输入信号的电平和从所述延迟单元输出的信号的电平产生的信号对所述电压调节单元的充电和放电操作进行控制。
2.根据权利要求1所述的半导体电路,其中,所述延迟单元包括对所述输入信号的电平进行反相以输出反相信号的多个反相器。
3.根据权利要求2所述的半导体电路,其中,所述延迟单元包括串联连接的第一和第二反相器,所述电压调节单元连接在所述第一和第二反相器的连接点与地线之间。
4.根据权利要求3所述的半导体电路,其中,所述第一反相器包括根据所述输入信号的电平选择性地进行开关操作的第一和第二开关。
5.根据权利要求4所述的半导体电路,其中,所述第一和第二开关分别由PMOS和NMOS组成。
6.根据权利要求4所述的半导体电路,其中,所述第一反相器包括分别连接至所述第一和第二开关的第一和第二电流源。
7.根据权利要求4所述的半导体电路,其中,所述第一反相器包括分别连接至所述第一和第二开关的第一和第二电阻器。
8.根据权利要求4所述的半导体电路,其中,所述电压调节单元由电容器组成,所述电容器根据所述第一和第二开关的开关操作对电压进行充电和放电。
9.根据权利要求5所述的半导体电路,其中,当所述输入信号从低电平变为高电平时,所述第一反相器断开所述第一开关并闭合所述第二开关,所述电压调节单元根据所述第二开关的闭合操作对电压进行放电。
10.根据权利要求9所述的半导体电路,其中,当从所述电压调节单元放电的电压比预设参考电压低时,所述第二反相器输出高电平信号。
11.根据权利要求9所述的半导体电路,其中,当从所述电压调节单元放电的电压不比预设参考电压低时,所述第二反相器输出低电平信号。
12.根据权利要求5所述的半导体电路,其中,当所述输入信号从高电平变为低电平时,所述第一反相器闭合所述第一开关并断开所述第二开关。
13.根据权利要求12所述的半导体电路,其中,当所述电压调节单元中充电的电压比预设参考电压高时,所述第二反相器输出低电平信号。
14.根据权利要求12所述的半导体电路,其中,当所述电压调节单元充电的电压不比预设参考电压高时,所述第二反相器输出高电平信号。
15.根据权利要求1所述的半导体电路,其中,所述组合单元包括:
第一和第二运算器,通过组合所述输入信号和从所述延迟单元输出的信号执行逻辑运算;以及
第三和第四开关,根据由所述第一和第二运算器产生的信号的电平执行开关操作。
16.根据权利要求15所述的半导体电路,其中,所述第一和第二运算器分别由或门和与门组成。
17.根据权利要求2所述的半导体电路,其中,所述延迟单元包括顺序串联连接的第一反相器至第六反相器,所述电压调节单元连接在第三反相器和第四反相器的连接点与地线之间。
18.根据权利要求17所述的半导体电路,其中,所述第三反相器包括:
第一和第二开关,根据所述输入信号的电平选择性地执行开关操作;以及
第一和第二电流源,分别连接至所述第一和第二开关。
19.根据权利要求17所述的半导体电路,其中,所述第三反相器包括:
第一和第二开关,根据所述输入信号的电平选择性地执行开关操作;以及
第一和第二电阻器,分别连接至所述第一和第二开关。
20.根据权利要求17所述的半导体电路,其中,所述组合单元根据由输入所述第二反相器的信号和从第五反相器输出的信号组合产生的信号对所述电压调节单元的充电和放电操作进行控制。
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