[发明专利]电极活性物质、其制备方法、及包括其的电极和锂电池

权利要求书

1.电极活性物质，包括：

能够嵌入和脱嵌锂的核；和

形成于所述核的表面的至少一部分上的表面处理层，

其中所述表面处理层包括具有尖晶石结构的无锂氧化物，并且在所述无锂氧化物的使用Cu-Kα辐射测量的X射线衍射(XRD)光谱中对应于杂质相的峰的强度处于X射线衍射光谱的噪声水平或更低的水平。

2.权利要求1的电极活性物质，其中所述无锂氧化物具有在使用Cu-Kα辐射测量的XRD光谱的对于(311)晶面的2θ=35.5±2.0°处的衍射峰，并且所述衍射峰的半宽度(FWHM)小于0.3°。

3.权利要求1的电极活性物质，其中所述无锂氧化物具有在使用Cu-Kα辐射测量的XRD光谱的对于(311)晶面的2θ=35.5±2.0°处的衍射峰，并且所述衍射峰的FWHM范围为0.220°～0.270°。

4.权利要求1的电极活性物质，其中所述无锂氧化物由下式1表示

<式1>

AB₂O₄

其中A为选自如下的一种或多种：锡(Sn)、镁(Mg)、钼(Mo)、铜(Cu)、锌(Zn)、钛(Ti)、镍(Ni)、钙(Ca)、铁(Fe)、钒(V)、铅(Pb)、钴(Co)、锗(Ge)、镉(Cd)、汞(Hg)、锶(Sr)、锰(Mn)、铝(Al)、钨(W)、和铍((Be)；

B为选自如下的一种或多种：Mg、Zn、Al、V、Mn、镓(Ga)、铬(Cr)、Fe、铑(Rh)、Ni、铟(In)、Co、和Mn；且

A不同于B。

5.权利要求1的电极活性物质，其中所述无锂氧化物为选自如下的一种或多种：SnMg₂O₄、SnZn₂O₄、MgAl₂O₄、MoAl₂O₄、CuAl₂O₄、ZnAl₂O₄、ZnV₂O₄、TiMn₂O₄、ZnMn₂O₄、NiAl₂O₄、MgGa₂O₄、ZnGa₂O₄、CaGa₂O₄、TiMg₂O₄、VMg₂O₄、MgV₂O₄、FeV₂O₄、MgCr₂O₄、MnCr₂O₄、FeCr₂O₄、CoCr₂O₄、NiCr₂O₄、CuCr₂O₄、ZnCr₂O₄、CdCr₂O₄、MgFe₂O₄、TiFe₂O₄、MnFe₂O₄、CoFe₂O₄、NiFe₂O₄、CuFe₂O₄、ZnFe₂O₄、CdFe₂O₄、AlFe₂O₄、PbFe₂O₄、MgCo₂O₄、TiCo₂O₄、ZnCo₂O₄、SnCo₂O₄、FeNi₂O₄、GeNi₂O₄、MgRh₂O₄、ZnRh₂O₄、TiZn₂O₄、SrAl₂O₄、CrAl₂O₄、FeAl₂O₄、CoAl₂O₄、MgIn₂O₄、CaIn₂O₄、FeIn₂O₄、CoIn₂O₄、NiIn₂O₄、CdIn₂O₄和HgIn₂O₄。