[发明专利]MOS晶体管器件及其制造方法

权利要求书

1.一种MOS晶体管器件，包括：源区、漏区、位于源区和漏区之间的沟道以及位于沟道上方的栅极结构，其特征在于，所述沟道为四层堆叠结构，所述四层由下至上依次为锗硅层、碳硅层、锗硅层和本征硅层，或者由下至上依次为碳硅层、锗硅层、碳硅层和本征硅层。

2.如权利要求1所述的种MOS晶体管器件，其特征在于，所述锗硅层的厚度为5nm~30nm。

3.如权利要求1或2所述的种MOS晶体管器件，其特征在于，所述锗硅层中锗的浓度百分比为3%~35%。

4.如权利要求1所述的种MOS晶体管器件，其特征在于，所述碳硅层的厚度为5nm~30nm。

5.如权利要求1或4所述的种MOS晶体管器件，其特征在于，所述碳硅层中碳的浓度百分比为3%~35％。

6.如权利要求1所述的种MOS晶体管器件，其特征在于，所述本征硅层的厚度为5nm~30nm。

7.一种MOS晶体管器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次生长四层外延层，所述四层外延层由下至上依次为锗硅层、碳硅层、锗硅层和本征硅层，或者由下至上依次为碳硅层、锗硅层、碳硅层和本征硅层；

在所述本征硅层上形成栅极结构；

在所述栅极结构两侧形成侧墙；

以栅极结构和侧墙为掩膜，对所述四层外延层及其下方的半导体衬底进行源/漏极离子注入，形成源/漏区。

8.如权利要求7所述的MOS晶体管器件的制造方法，其特征在于，在生长本征硅层之前，还包括：

依次刻蚀之前生长的外延层以及下方的半导体衬底，形成浅沟槽；

在浅沟槽和之前生长的最上方外延层的表面依次沉积氧化层和绝缘层，直至填满所述浅沟槽；

化学机械平坦化所述绝缘层至所述之前生长的最上方外延层顶部；

采用湿法腐蚀工艺去除覆盖在所述之前生长的最上方外延层顶部的氧化层。

9.如权利要求7所述的MOS晶体管器件的制造方法，其特征在于，在生长本征硅层之后，还包括：依次刻蚀所述四层外延层及其下方的半导体衬底，形成浅沟槽；

在浅沟槽中依次填充垫氧化层和绝缘层，形成浅沟槽隔离结构。

10.如权利要求7所述的MOS晶体管器件的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底为体硅衬底或绝缘体上硅衬底。

11.如权利要求7所述的MOS晶体管器件的制造方法，其特征在于，所述锗硅层的厚度为5nm~30nm。

12.如权利要求7或11所述的MOS晶体管器件的制造方法，其特征在于，所述锗硅层中锗的浓度百分比为3%~35%。

13.如权利要求1所述的MOS晶体管器件的制造方法，其特征在于，所述碳硅层的厚度为5nm~30nm。

14.如权利要求7或13所述的MOS晶体管器件的制造方法，其特征在于，所述碳硅层中碳的浓度百分比为3%~35%。

15.如权利要求7所述的MOS晶体管器件的制造方法，其特征在于，所述本征硅层的厚度为5nm~30nm。