[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示面板制造领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法和显示装置。

背景技术

传统的TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)，薄膜场效应晶体管液晶显示器)基板是由一片TFT阵列基板，与另一片彩膜基板(Color Filter)对盒而成。

而新型的彩色滤光片整合薄膜晶体管阵列基板(Color Filter On Array，简称COA)技术，是在TFT阵列制造工艺完成之后，再在阵列基板上进行彩色滤光片的制造工艺，也就是将彩膜制于TFT阵列基板上。由于它有着布线精确，无需因对盒工艺而增加遮光层的宽幅，从而可以提高透过率高，将彩色滤光片与阵列基板集成与阵列基板上，COA技术无需彩色滤光片因此制造成本较低、更利于轻薄化等优点而被人所重视和研究。

但现有的COA制造技术中需要多次进行MASK工艺处理，不仅工艺复杂，成本较高，繁杂的工艺步骤致使质量难以保证。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法和显示装置，能够减少COA制造技术中MASK工艺次数，简化工艺步骤，进而保证生产质量。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供了一种阵列基板的制作方法，包括：

在衬底基板上形成半导体有源层、栅绝缘层和栅极的图形；

在形成有所述半导体有源层、所述栅绝缘层和所述栅极的基板上形成遮光层的图形；

在形成有所述遮光层的基板上形成第一彩色滤光层和第二彩色滤光层的图形；

在形成有所述第一彩色滤光层和所述第二彩色滤光层的基板上形成第三彩色滤光层及贯穿彩色滤光层的过孔图形；

在形成有所述第一彩色滤光层、所述第二彩色滤光层、所述第三彩色滤光层和所述贯穿彩色滤光层的过孔的基板上形成像素电极和源/漏电极的图形。

一方面，提供一种彩色滤光片整合薄膜晶体管阵列基板，包括：

基板；

形成于所述基板上的半导体有源层、栅极绝缘层、栅极；

形成于所述半导体有源层、所述栅极绝缘层和所述栅极上的遮光层、第一彩色滤光层、第二彩色滤光层和第三彩色滤光层，其中，贯穿彩色滤光层形成有过孔；

形成于所述第一彩色滤光层、所述第二彩色滤光层和所述第三彩色滤光层上的像素电极和源/漏电极；

所述源/漏电极通过所述贯穿彩色滤光层的过孔与所述半导体有源层实现电连接。

另一方面，提供了一种显示装置，包括：上述阵列基板的制作方法制得的阵列基板。

本发明实施例提供了阵列基板及其制备方法和显示装置，制备阵列基板时，可以通过一次构图工艺制得半导体有源层、栅绝缘层、及栅线；再通过一次构图工艺制得彩色滤光层；并再通过一次构图工艺制得像素电极、源漏极，这种制备方法在保证TFT阵列基板功能的前提下，相对现有技术而言，减少了构图工艺的使用数量，简化工艺步骤，进而保证了阵列基板和包含有该阵列基板的显示装置的在COA技术上，生产质量得以提高。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程示意图一；

图2为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程示意图二；

图3为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程示意图三；

图4为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程示意图四；

图5为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程示意图五；

图6为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程示意图六；

图7为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程示意图七；

图8为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程示意图八；

图9为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程示意图九；

图10为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程示意图十；

图11为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程示意图十一；

图12为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程示意图十二；

图13为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程示意图十三；