[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成半导体有源层、栅绝缘层和栅极的图形；

在形成有所述半导体有源层、所述栅绝缘层和所述栅极的基板上形成遮光层的图形；

在形成有所述遮光层的基板上形成第一彩色滤光层和第二彩色滤光层的图形；

在形成有所述第一彩色滤光层和所述第二彩色滤光层的基板上形成第三彩色滤光层及贯穿彩色滤光层的过孔图形；

在形成有所述第一彩色滤光层、所述第二彩色滤光层、所述第三彩色滤光层和所述贯穿彩色滤光层的过孔的基板上形成像素电极和源/漏电极的图形。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成半导体有源层、栅绝缘层和栅极的图形，具体包括：

在衬底基板上依次形成半导体有源层薄膜、栅极绝缘层薄膜、栅极金属层薄膜；

对在所述半导体有源层薄膜、栅极绝缘层薄膜、栅极金属层薄膜上涂覆一层光刻胶，通过双色调掩膜版进行一次曝光，显影后形成第一光刻胶完全保留区域，第一光刻胶部分保留区域及第一光刻胶完全去除区域，所述第一光刻胶完全保留区域对应所述栅极图形，所述第一光刻胶部分保留区域对应所述半导体有源层的图形，所述第一光刻胶完全去除区域对应所述栅极和所述半导体有源层以外的区域；

然后对所述第一光刻胶完全去除区域进行刻蚀，去除所述栅极金属层薄膜、所述栅绝缘层薄膜和所述半导体有源层薄膜；

再对光刻胶进行灰化处理，将所述第一光刻胶部分保留区域的光刻胶去除掉，同时所述第一光刻胶完全保留区域的光刻胶减薄，通过刻蚀工艺去除所述对应半导体有源层上的所述栅极金属薄膜和所述栅绝缘层薄膜，剥离光刻胶后最终形成所述半导体有源层、所述栅极绝缘层、所述栅极的图形。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在形成有所述半导体有源层、所述栅绝缘层和所述栅极的基板上形成遮光层的图形；在形成有所述遮光层的基板上形成第一彩色滤光层和第二彩色滤光层的图形；在形成有所述第一彩色滤光层和所述第二彩色滤光层的基板上形成第三彩色滤光层及贯穿彩色滤光层的过孔图形；在形成有所述第一彩色滤光层、所述第二彩色滤光层、所述第三彩色滤光层和所述贯穿彩色滤光层的过孔的基板上形成像素电极和源/漏电极的图形；在形成有所述半导体有源层、所述栅绝缘层和所述栅极的基板上形成第一保护层和遮光层的图形包括：

在形成有所述半导体有源层、所述栅绝缘层和所述栅极的基板上形成第一保护层和遮光层的图形；

在形成有所述第一保护层和所述遮光层的基板上形成第一彩色滤光层和第二彩色滤光层的图形；

在形成有所述第一彩色滤光层和所述第二彩色滤光层的基板上形成第三彩色滤光层及贯穿彩色滤光层和所述第一保护层的过孔图形；

在形成有所述第一彩色滤光层、所述第二彩色滤光层、所述第三彩色滤光层和所述贯穿彩色滤光层和第一保护层的过孔的基板上形成像素电极和源/漏电极的图形。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在形成有所述半导体有源层、所述栅绝缘层和所述栅极的基板上形成第一保护层和遮光层的图形，具体包括：

在形成有所述半导体有源层、所述栅绝缘层和所述栅极的基板上形成第一层保护层薄膜；

在形成有所述第一保护层薄膜的基板上形成黑色挡光材料；

在所述黑色挡光材料上涂覆光刻胶，利用掩膜版进行曝光、显影后形成第二光刻胶完全保留区域和第二光刻胶完全去除区域，所述第二光刻胶完全保留区域对应所述栅极上方，所述第二光刻胶完全保留区域以外的区域对应所述第二光刻胶完全去除区域；

通过刻蚀工艺，将所述第二光刻胶完全去除区域的黑色挡光材料去除；

剥离光刻胶后，在所述栅极上方形成所述黑矩阵的图形。