[发明专利]一种低辐射镀膜玻璃及其夹层玻璃制品有效
申请号: | 201210262710.2 | 申请日: | 2012-07-26 |
公开(公告)号: | CN102745906A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 曹晖;袁军林;林柱;朱谧;何立山;卢国水;彭颖昊;福原康太 | 申请(专利权)人: | 福耀玻璃工业集团股份有限公司 |
主分类号: | C03C17/34 | 分类号: | C03C17/34;C03C17/36;C03C27/12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 辐射 镀膜 玻璃 及其 夹层 玻璃制品 | ||
技术领域:
本发明涉及玻璃镀膜领域,特别是涉及一种高可见光透过率、可热处理的银基低辐射镀膜玻璃及其夹层玻璃制品,尤其是安装在交通工具上的单银低辐射镀膜玻璃。
背景技术:
低辐射(low-e)镀膜玻璃具有透过可见光和反射红外线的优点,从而可以明显地降低汽车的空调能耗以及提高驾驶员和乘客的舒适度,因此作为一种绿色环保产品在建筑和交通工具上面有巨大的市场需求。低辐射镀膜玻璃的核心材料是一层或者多层的银(Ag)层(9纳米~15纳米),由于银(Ag)层容易被腐蚀和氧化,所以必须在银(Ag)层的上、下方都沉积有能够透过可见光的透明介质层;这些介质层能够保护Ag层在后续加工,特别是高温热处理(如钢化和烘弯成型)过程中不被破坏;此外,银(Ag)层上、下方的介质层还起到减反射的作用,能够提高低辐射镀膜玻璃的可见光透过率。众所周知地,介质层的致密性、表面微观结构和高温过程中的稳定性决定了低辐射镀膜是否能够承受高温热处理(例如钢化和烘弯成型,其中烘弯成型过程中要求最高温度高于620℃并保持2~5分钟);银(Ag)层上方的介质层的化学稳定性决定了低辐射镀膜产品在加工和使用过程中的化学耐久性。
目前,锌锡合金氧化物ZnSnOx被广泛应用于可高温热处理的低辐射镀膜产品中,含有ZnSnOx的介质层具有致密、膜层均匀和热稳定性好的优点。例如中国专利CN101058486B、CN102372445A、CN1015006B、CN1016188B、CN1019319B和CN1020639C,以及美国专利US4834857(A)和US4902580(A)均公开了以ZnSnOx膜层作为介质层的镀膜产品。然而ZnSnOx膜层材料存在以下缺点:第一,化学稳定性欠佳,容易被化学腐蚀;第二,构建的银基低辐射镀膜产品在高温热处理之后雾度偏高。这些缺点的存在导致镀膜产品的外观或者耐久性不够理想。
现有技术中已存在将镁原子(Mg)引入镀膜玻璃的膜层中的技术,例如美国专利申请US20100167034(A1)中披露了ZnMgO合金氧化物,其中Mg/Zn的原子数量比例不超过15%,然而这种ZnMgO膜层不能作为保护介质层的主体;又如美国专利US7507478(B2)中提出采用Mg、Zn、Al、In、Sn、Sb和Bi金属薄层(1纳米~10纳米)作为亚化学计量比层的稳定层,还有美国专利US5962115(A)中披露了Mg掺杂的SnO2膜层作为low-e膜系的上介质层,然而这种膜层的热稳定性和氧原子阻隔能力依然不够。而镍(Ni)及其合金,例如NiCr,在现有技术中常以金属、不完全氧化物、不完全氮化物的形式作为与银(Ag)直接接触的保护层,极少作为介质层的主体来使用;或者以薄层(不高于10nm)的形式作为某些介质层之间的分隔层,例如美国专利US7858193(B2)所披露的TiO2|NiCrOx|ZnO膜层结构。
由于镁离子(Mg2+)半径(65pm)、镍离子(Ni2+)半径(69pm)比锌离子(Zn2+)半径(74pm)略小,镁和镍原子容易稳定分散在ZnSnOx膜层的无定形网络结构中并导致膜层微观结构及其物理、化学性质的改变。研究人员在试验过程中发现:适量的镁和镍引入ZnSnOx膜层中能够改善膜层微观结构,由此改善膜层材料的化学稳定性并改善这种掺杂膜层构建的膜系结构的化学稳定性和热稳定性。
发明内容:
本发明所要解决的技术问题是提高现有低辐射镀膜玻璃的化学稳定性和热稳定性,提供一种改进的可高温热处理的低辐射镀膜玻璃,同时还提供一种应用有该低辐射镀膜玻璃的夹层玻璃制品。
本发明解决其技术问题所采取的技术方案是:一种低辐射镀膜玻璃,包括玻璃基板、第一介质层、红外反射层和第二介质层,第一介质层设置在玻璃基板之上,红外反射层设置在第一介质层之上,第二介质层设置在红外反射层之上,其特征在于:第一介质层和第二介质层中至少有一层包括ZnSnMgOx膜层或ZnSnNiOx膜层,其中x的范围为0<x<4。
优选地,所述红外反射层为银层或含银的合金层。
可选地,在所述第一介质层和所述红外反射层之间设置第一阻隔层,其中所述第一阻隔层的厚度为0.5~10nm。
可选地,在所述红外反射层和所述第二介质层之间设置第二阻隔层,其中所述第二阻隔层的厚度为0.5~10nm。
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