[发明专利]一种低辐射镀膜玻璃及其夹层玻璃制品有效
申请号: | 201210262710.2 | 申请日: | 2012-07-26 |
公开(公告)号: | CN102745906A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 曹晖;袁军林;林柱;朱谧;何立山;卢国水;彭颖昊;福原康太 | 申请(专利权)人: | 福耀玻璃工业集团股份有限公司 |
主分类号: | C03C17/34 | 分类号: | C03C17/34;C03C17/36;C03C27/12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 辐射 镀膜 玻璃 及其 夹层 玻璃制品 | ||
1.一种低辐射镀膜玻璃,包括玻璃基板、第一介质层、红外反射层和第二介质层,第一介质层设置在玻璃基板之上,红外反射层设置在第一介质层之上,第二介质层设置在红外反射层之上,其特征在于:第一介质层和第二介质层中至少有一层包括ZnSnMgOx膜层或ZnSnNiOx膜层,其中x的范围为0<x<4。
2.根据权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃,其特征在于:所述红外反射层为银层或含银的合金层。
3.根据权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃,其特征在于:在所述第一介质层和所述红外反射层之间设置第一阻隔层,所述第一阻隔层的厚度为0.5~10nm。
4.根据权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃,其特征在于:在所述红外反射层和所述第二介质层之间设置第二阻隔层,所述第二阻隔层的厚度为0.5~10nm。
5.根据权利要求3或4所述的低辐射镀膜玻璃,其特征在于:所述阻隔层的材料为从Ti、Ni、Cr、Al、Zr、Zn、Nb、Ta等金属及其合金的金属、氧化物、氮化物、氮氧化物、不完全氧化物、不完全氮化物、不完全氮氧化物中选择至少一种。
6.根据权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃,其特征在于:还包括保护层,所述保护层作为最外层而设置在第二介质层之上,所述保护层的厚度为0.5~50nm。
7.根据权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃,其特征在于:当该低辐射镀膜玻璃中含有ZnSnMgOx膜层时,在所述ZnSnMgOx膜层中,按照原子数量计算,(Zn+Mg)/Sn的比例在0.5~4之间,Mg/(Zn+Mg)的比例在0.005~0.5之间;当该低辐射镀膜玻璃中含有ZnSnNiOx膜层时,在所述ZnSnNiOx膜层中,按照原子数量计算,(Zn+Ni)/Sn的比例在0.5~4之间,Ni/(Zn+Ni)的比例在0.005~0.5之间。
8.根据权利要求7所述的低辐射镀膜玻璃,其特征在于:当该低辐射镀膜玻璃中含有ZnSnMgOx膜层时,在所述ZnSnMgOx膜层中,按照原子数量计算,(Zn+Mg)/Sn的比例在1.5~2.5之间,Mg/(Zn+Mg)的比例在0.01~0.25之间;当该低辐射镀膜玻璃中含有ZnSnNiOx膜层时,在所述ZnSnNiOx膜层中,按照原子数量计算,(Zn+Ni)/Sn的比例在1.5~2.5之间,Ni/(Zn+Ni)的比例在0.01~0.25之间。
9.根据权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃,其特征在于:当该低辐射镀膜玻璃中含有ZnSnMgOx膜层时,所述ZnSnMgOx膜层是由采用ZnSnMg合金靶材,或者采用陶瓷靶材磁控溅射沉积的;当该低辐射镀膜玻璃中含有ZnSnNiOx膜层时,所述ZnSnNiOx膜层是由采用ZnSnNi合金靶材,或者采用陶瓷靶材磁控溅射沉积的。
10.根据权利要求9所述的低辐射镀膜玻璃,其特征在于:所述靶材的结构为旋转靶或平面靶。
11.根据权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃,其特征在于:所述第一介质层的厚度为20~50nm,所述红外反射层的厚度为8~15nm,所述第二介质层的厚度为20~60nm。
12.根据权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃,其特征在于:所述第一介质层或所述第二介质层中还包括非ZnSnMgOx或ZnSnNiOx膜层,所述非ZnSnMgOx或ZnSnNiOx膜层的材料为从Zn、Sn、Mg、Ti、Ta、Nb、Bi、Zr、Si、Al等金属及其合金的氧化物中选择至少一种,或者从Si、Al、Ti、Ta、Zr、Nb等金属及其合金的氮化物、氮氧化物中选择至少一种。
13.一种夹层玻璃制品,包括两块玻璃和夹在两块玻璃之间的中间层,其特征在于:两块玻璃中至少一块选自权利要求1-12任意一项所述的低辐射镀膜玻璃,所述低辐射镀膜玻璃的镀膜位于靠近中间层的一面。
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