[发明专利]具有提高的鲁棒性的垂直晶体管

权利要求书

1.一种晶体管，包括：

半导体本体，具有第一水平表面；

漂移区，被设置在所述半导体本体中；

多个栅电极，被设置在所述半导体本体的沟道中，所述沟道具有纵向方向并且相对于彼此平行延伸，所述沟道的所述纵向方向在所述半导体本体的第一横向方向上延伸；

体区，被设置在所述沟道之间；以及

源区，被设置在所述沟道之间，

其中，所述体区在所述半导体本体的竖直方向上被设置在所述漂移区和所述源区之间，

其中，在所述第一水平表面中，所述源区和所述体区在所述第一横向方向上被交替设置，以及

其中，源电极被电连接到所述第一水平表面中的所述源区和所述体区。

2.根据权利要求1所述的晶体管，还包括：

栅极电介质，将所述栅电极与所述半导体本体之间介质隔离；以及

漏区，其中，所述漂移区被设置在所述漏区和所述体区之间。

3.根据权利要求1所述的晶体管，

其中，所述源区在第二横向方向上延伸，每个源区均被栅电极隔断，以及

其中，所述第一横向方向和所述第二横向方向之间的角度在45°和90°之间。

4.根据权利要求3所述的晶体管，其中，所述第一横向方向和所述第二横向方向之间的角度在80°和90°之间。

5.根据权利要求1所述的晶体管，

其中，所述源区在所述第一水平表面中具有第一表面区域，所述体区在所述第一水平表面中具有第二表面区域，以及

其中，所述第一表面区域和所述第二表面区域之间的比率在10:1和1:10之间。

6.根据权利要求5所述的晶体管，其中，所述第一表面区域和所述第二表面区域之间的比率在10:1和1:1之间。

7.根据权利要求3所述的晶体管，其中，在所述第二横向方向上的两个相邻源区之间的距离在1μm和10μm之间。

8.根据权利要求1所述的晶体管，其中，在垂直于所述第一横向方向的方向上两个相邻栅电极之间的相互距离在1μm和10μm之间。

9.一种晶体管，包括：

半导体本体，具有第一水平表面；

漂移区，被设置在所述半导体本体中；

多个栅电极，被设置在所述半导体本体的沟道中，所述沟道具有纵向方向并且相对于彼此平行延伸，所述沟道的所述纵向方向在所述半导体本体的第一横向方向上延伸；

体区，被设置在所述沟道之间；以及

源区，被设置在所述沟道之间，其中

所述源区延伸到所述第一水平表面并形成源区域，所述源区域被所述栅电极划分为所述源区，其中，所述第一水平表面中的所述源区域被体区域所包围，所述体区域包括延伸到所述第一水平表面的多个体区。

10.根据权利要求9所述的晶体管，还包括：

栅极电介质，将所述栅极与所述半导体本体之间介质隔离；以及

漏区，其中，所述漂移区被设置在所述漏区和所述体区之间。

11.根据权利要求9所述的晶体管，其中，所述源区域具有矩形、圆形或多边形几何形状。

12.根据权利要求9所述的晶体管，其中，所述源区域是彼此间隔设置的多个源区域中的一个。

13.根据权利要求9所述的晶体管，

其中，所述源区域在所述第一水平表面中具有第一表面区域，所述体区在所述第一水平表面中具有第二表面区域，以及

其中，所述第一表面区域和所述第二表面区域之间的比率在10:1和1:10之间。

14.根据权利要求13所述的晶体管，其中，所述比率在10:1和1:1之间。

15.根据权利要求9所述的晶体管，其中，两个相邻栅电极之间的距离在1μm和10μm之间。