[发明专利]一种制作半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201210261971.2 | 申请日： | 2012-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN103578936A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 卜伟海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;付伟佳 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
1.一种制作半导体器件的方法，包括：
A）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；
B）在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中形成第一凹槽和第二凹槽；
C）采用流动性化学气相沉积法在所述第一凹槽和所述第二凹槽的底部形成低k介电层；以及
D）在所述第一凹槽和所述第二凹槽中的所述低k介电层上分别形成源极和漏极。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述A）步骤之后还包括：
在所述栅极结构的两侧形成偏移间隙壁；
执行浅掺杂离子注入工艺，以在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中形成浅掺杂区。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第一凹槽和所述第二凹槽的方法为自对准刻蚀。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述C）步骤包括：
采用流动性化学气相沉积法在所述栅极结构上以及所述第一凹槽和所述第二凹槽内形成低k介电材料层，其中所述第一凹槽和所述第二凹槽的底部的所述低k介电材料层的第一厚度大于其它区域的所述低k介电材料层的第二厚度；
采用各向同性刻蚀法对所述低k介电材料层进行刻蚀，至露出所述栅极结构下方的沟道区域的侧面，以在所述第一凹槽和所述第二凹槽的底部形成所述低k介电层。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一厚度为10-120nm，且所述第二厚度为5-20nm。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一厚度与所述第二厚度之间的差值大于或等于10nm。
7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，露出的所述沟道区域的厚度为5-30nm。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度为20-150nm。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低k介电层的厚度为10-100nm。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低k介电层的相对介电常数为1-3.9。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述D）步骤包括：
在所述第一凹槽和所述第二凹槽中的所述低k介电层上形成外延层，所述外延层填满所述第一凹槽和所述第二凹槽；
在所述栅极结构的两侧形成间隙壁；以及
执行源漏离子注入工艺，以在所述外延层中形成所述源极和所述漏极。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述外延层为硅外延层、碳硅外延层或锗硅外延层。
13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述外延层的厚度为30-100nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
