[发明专利]基于无胶玻化技术的单模光纤连接器线、相关纳米级二氧化硅及制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及光电子技术领域，特别涉及光纤跳线技术领域，具体是指一种基于无胶玻化技术的单模光纤连接器线、相关纳米级二氧化硅及制作方法。

背景技术

光纤通信一开始便发展出了许多种光纤连接器，比如SC/APC，FC/APC等等，这些连接器在光纤通信设备与设备之间，设备与传输光缆之间发挥着重要的作用。但伴随着通信激光功率越来越大，连接器在连接过程中接头的烧毁越来越频繁和严重。尤其在有线电视（CATV）光纤到户（FTTH）过程中，达到W级输出功率的光纤放大器的引入，使得这一现象更加频繁。很多情况下只能采用光纤熔接的方式解决该问题，但熔接方式对于设备安装、调试、搬移都存在巨大的麻烦和障碍。在多模光纤中有成熟的大功率光纤连接器在使用。因为多模纤芯很粗，一般纤芯直径在100～400μm，可以采用一些非接触式的对准方式，即使对准误差比较大，比如误差10μm，其插损也很小。但对于单模光纤，纤芯只有9μm，不适合采用非接触式的对准方式来制作连接器。故一直没有可靠耐高功率的连接器来实现功率W级以上光功率的传输。

经分析，光纤连接器烧毁的主要原因是，光纤在连接过程中，由于对准不好形成F-P腔，在端面上形成高温区烧坏端面，或者光纤端面有污垢，吸收光功率在光纤端面形成高温区烧坏端面。而通常的光纤连接器采用的是陶瓷或金属插芯，能承受的温度很高，本身不容易被烧毁。如图1所示，常常是连接器制作过程中采用的胶2，比如353ND等，留存在光纤1端面或光纤1与插芯3固定之间，被高温烧灼变异所致。

因此，需要提供一种单模光纤连接器线，其耐高温，不易烧毁，可以承受W级单模传输。

发明内容

本发明的目的是克服了上述现有技术中的缺点，提供一种基于无胶玻化技术的单模光纤连接器线、相关纳米级二氧化硅及制作方法，该基于无胶玻化技术的单模光纤连接器线设计巧妙，结构简洁，耐高温，不易烧毁，可以承受W级单模传输，适于大规模推广应用。

为了实现上述目的，在本发明的第一方面，提供了一种基于无胶玻化技术的单模光纤连接器线，其特点是，包括石英光纤、玻化纳米级二氧化硅层和插芯，所述玻化纳米级二氧化硅层包覆在所述石英光纤外，所述插芯包覆在所述玻化纳米级二氧化硅层外，所述玻化纳米级二氧化硅层是纳米级二氧化硅经玻化而成。

较佳的，所述纳米级二氧化硅是纳米级低熔点二氧化硅，所述纳米级低熔点二氧化硅的熔点低于1500℃。

更佳的，所述纳米级低熔点二氧化硅是掺杂金的二氧化硅。

更进一步的，所述的掺杂金的二氧化硅中二氧化硅和金的质量比为90：10。

较佳的，所述插芯是陶瓷插芯、金属插芯或石英插芯。

在本发明的第二方面，提供了一种用于上述的基于无胶玻化技术的单模光纤连接器线的纳米级二氧化硅，其特点是，所述纳米级二氧化硅是纳米级低熔点二氧化硅，所述纳米级低熔点二氧化硅的熔点低于1500℃。

较佳的，所述纳米级低熔点二氧化硅是掺杂金的二氧化硅。

较佳的，所述的掺杂金的二氧化硅中二氧化硅和金的质量比为90：10。

在本发明的第三方面，提供了一种上述的基于无胶玻化技术的单模光纤连接器线的制作方法，其特点是，将所述石英光纤插设在所述插芯中，然后在所述石英光纤和所述插芯之间填充纳米级二氧化硅，再将纳米级二氧化硅玻化形成所述玻化纳米级二氧化硅层。

较佳的，所述玻化采用加热方式实现。

本发明的有益效果具体在于：本发明的基于无胶玻化技术的单模光纤连接器线包括石英光纤、玻化纳米级二氧化硅层和插芯，所述玻化纳米级二氧化硅层包覆在所述石英光纤外，所述插芯包覆在所述玻化纳米级二氧化硅层外，所述玻化纳米级二氧化硅层是纳米级二氧化硅经玻化而成，设计巧妙，结构简洁，耐高温，不易烧毁，可以承受W级单模传输，适于大规模推广应用。

附图说明

图1是现有的单模光纤连接器线的结构示意图。

图2是本发明的基于无胶玻化技术的单模光纤连接器线的一具体实施例的结构示意图。

图3是采用图2所示的具体实施例装配光纤连接器的示意图。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本发明的技术内容，特举以下实施例详细说明。

请参见图2～图3所示，本发明的基于无胶玻化技术的单模光纤连接器线包括石英光纤5、玻化纳米级二氧化硅层4和插芯3，所述玻化纳米级二氧化硅层4包覆在所述石英光纤5外，所述插芯3包覆在所述玻化纳米级二氧化硅层4外，所述玻化纳米级二氧化硅层4是纳米级二氧化硅经玻化而成。